文献

J-GLOBAL ID：202102252313212472   整理番号：21A3314369

オプトエレクトロニクス特性に沿ったLiAeH_3(Ae=Ca,Sr,Ba)ペロブスカイト水素化物の圧力誘起熱電特性の調査【JST・京大機械翻訳】

Exploring pressure induced thermoelectric properties of LiAeH₃ (Ae = Ca, Sr, Ba) perovskite hydrides along with optoelectronic features

著者 (6件)： Shah M. Abdul Hadi (Department of Physics, Rajshahi University of Engineering and Technology, Rajshahi, 6204, Bangladesh) ,  Hossain A. (Univ Lyon, Universite Claude Bernard Lyon 1, Laboratoire des Multimateriaux et Interfaces, UMR CNRS 5615, F-69622, Villeurbanne, France) ,  Alam M. Ashraful (Department of Physics, Mawlana Bhashani Science and Technology University, Santosh, Tangail, 1902, Bangladesh) ,  Pervez M. Sarwar (Department of Physics, Rajshahi University of Engineering and Technology, Rajshahi, 6204, Bangladesh) ,  Nuruzzaman M. (Department of Physics, Rajshahi University of Engineering and Technology, Rajshahi, 6204, Bangladesh) ,  Zilani M.A.K. (Department of Physics, Rajshahi University of Engineering and Technology, Rajshahi, 6204, Bangladesh)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 137  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この報告は,LiAeH_3(Ae=Ca,Sr,Ba)ペロブスカイト水素化物の圧力誘起電子,光学および熱電特性を調べるために,半古典的Boltzmann輸送理論内で積分された密度汎関数理論に基づくab initio計算にアプローチされた平面波擬ポテンシャルを実証することを目的とする。これらの化合物の計算した電子構造は,LiCaH_3のバンドギャップが減る一方,LiSrH_3とLiBaH_3のバンドギャップが圧力が増加するにつれて増加するのに対して,研究した圧力の全範囲(0~50GPa)において,混合共有結合とイオン結合を有する間接バンドギャップを有する。光学スペクトルの合理的な解析は,これらのペロブスカイトを光電子応用へ向ける。例えば,調べた水素化物は,それらのユニークな損失スペクトルによりプラズモン励起を明らかにし,これは光学センシングデバイスで重要である。推定電子および光学パラメータを比較し,利用可能な結果に対して,それらの間で妥当な一致を見出した。物理的挙動をさらに評価するために,Seebeck係数,熱伝導率,電気伝導率,力率,および性能指数に関する圧力および温度依存性熱電特性を,BoltzTraPコードに実装して初めて実行した。研究したペロブスカイトの正のSeebeck係数はp型半導体性を示し,正孔は電子よりむしろ伝導のための主要な電荷キャリアである。大きい性能指数と小さな熱対電気伝導率比は,熱電素子応用におけるそれらの適合性を明らかにする。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  電子構造 ,  電気伝導率 ,  温度依存性 ,  スペクトル ,  *水素化物 ,  *オプトエレクトロニクス ,  共有結合 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  電荷キャリア ,  擬ポテンシャル ,  *熱電特性 ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 密度汎関数理論 ,  ペロブスカイト水素化物 ,  圧力効果 ,  オプトエレクトロニクス特性 ,  輸送特性

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： オプトエレクトロニクス ,  Sr ,  Ba ,  ペロブスカイト ,  水素化物 ,  誘起 ,  熱電特性 ,  調査