文献

J-GLOBAL ID：202102252467426148   整理番号：21A0441662

22nm FD-SOI上の0.4V/1μA読取と0.9Vプログラム電圧による64x1ヒューズメモリ【JST・京大機械翻訳】

A 64x1 Fuse Memory with 0.4V/1μA Read and 0.9V Program Voltage on 22nm FD-SOI

著者 (2件)： Chung Shine (Attopsemi Technology,Hsinchu,Taiwan) ,  Fang Wen-Kuan (Attopsemi Technology,Hsinchu,Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： S3S  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電池レスRFID用の22nm FD-SOIで200kHzと25°Cで0.4V/1uA読取の64x1ヒューズメモリを示した。ヒューズをブレークポイント以下にプログラムし,ヒューズを0.9Vでプログラムし,低電圧読取を可能にした。Read電流は,時間ベースセンシングを用いることにより非常に低い:データ0または1に対するヒューズと参照抵抗器によるキャパシタ放電速度の比較。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コンデンサ ,  *電圧 ,  電池 ,  電流 ,  放電 ,  抵抗器 ,  *ヒューズ ,  RFID
準シソーラス用語： 低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： SOI ,  読取 ,  ヒューズ