錯体フェナントロリン銅(II)カチオンによる四核キララトゲルマニウム酸塩(IV)における指向性構造形成【JST・京大機械翻訳】

Chebanenko E. A.; Seifullina I. I.; Martsinko E. E.; D’yakonenko V. V.; Shishkina S. V.; Shishkina S. V.

文献

J-GLOBAL ID：202102252870575714 整理番号：21A1272479

錯体フェナントロリン銅(II)カチオンによる四核キララトゲルマニウム酸塩(IV)における指向性構造形成【JST・京大機械翻訳】

Directed Structure Formation in Tetranuclear Xylaratogermanates(IV) with Complex Phenanthrolinecopper(II) Cations

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資料名：
巻： 65 号： 11 ページ： 1703-1711 発行年： 2020年
JST資料番号： A1028A ISSN： 0036-0236 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

同一のホモゲルマニウム酸塩錯体アニオンおよび種々のフェナントロリン銅(II)カチオン,すなわち[Cu(Phen)_3]_2[(OH)_2Ge_2(μ-HXylar)_4Ge_2(μ-OH)_2]・8H_2O(I),[Cu(H_2O)(Phen)_2]_2[(OH)_2Ge_2(μ-HXylar)_4Ge_2(μ-OH)_2]・8H_2O(II),および[CuCl(Phen)_2]_4[(OH)_2Ge_2(μ-HXylar)_4Ge_2(μ-OH)_2]・8H_2O(III)を有する新しいキシラトゲルマニウム酸塩を,開発した方法によって合成し,IR分光法および熱重量分析によって研究した。X線回折データによると,それらは[(OH)_2Ge_2(μ-HXylar)_4Ge_2(μ-OH)_2]4-四核ゲルマニウム含有錯体アニオンと3つの錯体カチオン:[Cu(Phen)_3]2+(I),[Cu(H_2O)(Phen)_2]~2+ (II), and[CuCl(Phen)]~+ (IIIを含むイオン型錯体を示す。錯体アニオン中のGe原子は2種類の配位を有する:それらは5または6配位である。各Ge原子は2つのキシアル酸分子の脱プロトン化カルボキシル基とヒドロキシル基に結合した。5配位Ge原子は1つの末端ヒドロキシル配位子にさらに結合し,6配位Ge原子は2つの架橋ヒドロキシル基に結合した。結晶構造IとIIでは,カチオンとアニオンは交互層を形成し,これはカチオンとアニオンと交換可能な。結晶構造IIIにおいて,カチオンは「多孔性」層を形成し,その空洞はアニオンの鎖を収容する。カチオンの層は,Phenのπ系間の弱いスタッキング相互作用によってリンクした。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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第11族,第12族元素の錯体 , 遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造

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