文献

J-GLOBAL ID：202102253562813682   整理番号：21A0044195

Bi2Se3ナノシート成長およびトランジスタ調製【JST・京大機械翻訳】

Growth of Bi2Se3 nanosplates and the transistors fabrication

著者 (3件)： Chen Lei (福州大学物理与信息工程学院,福建 福州 350108) ,  Wang Yumeng (福州大学物理与信息工程学院,福建 福州 350108) ,  Yu Jinling (福州大学物理与信息工程学院,福建 福州 350108)
資料名： Fuzhou Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban)  (Fuzhou Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban))
巻： 48  号： 5  ページ： 591-595  発行年： 2020年 
JST資料番号： C3290A  ISSN： 1000-2243  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 化学蒸着(CVD)により,高品質Bi2Se3ナノシートを雲母基板上に作製した。湿式移動技術を用いて,ナノシートをSiO2基板に移した。単一Bi2Se3ナノシートに基づくトランジスタをフォトリソグラフィーにより作製し,Bi2Se3ナノシートトランジスタをゲート電圧を印加して効果的に制御した。結果は,Bi2Se3ナノシートと電極の間のオーム接触の形成が,Bi2Se3ナノシートと電極の間のショットキー接触を形成するとき,ボトムゲートの制御効果が悪いことを示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  二酸化ケイ素 ,  雲母 ,  化学蒸着 ,  Ohm接触 ,  フォトリソグラフィー ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 高品質 ,  ゲート電圧 ,  ボトムゲート ,  Schottky接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノシート ,  成長 ,  トランジスタ ,  調製