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J-GLOBAL ID：202102253798868491   整理番号：21A0984816

GaN GITベース電動機駆動インバータのdv/dt制御のためのゲート駆動概念【JST・京大機械翻訳】

Gate Drive Concept for dv/dt Control of GaN GIT-Based Motor Drive Inverters

著者 (2件)： Persson E. (Infineon Technologies Americas Corp,El Segundo,USA) ,  Wilhelm D. (Infineon Technologies Americas Corp,El Segundo,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IEDM  ページ： 27.6.1-27.6.4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 家電機モータ駆動のような高容量応用では,システムコストと密度は重要な価値計量である。多くの場合,システムパッケージングは電力エレクトロニクスの電力消費能力に厳しい限界を与え,インバータ損失を最小に維持しなければならない。GaNパワートランジスタは,IGBTまたはMOSFETベースのインバータ[2]と比較して,電力損失における著しい改善を提供することができたが,スイッチング速度(dv/dt)の制御は挑戦的である。本論文では,統合電力モジュール(IPM)内部で受動部品やボンドワイヤを追加せずに,低コスト技術を用いて,ドライバICとGaNトランジスタに統合できる簡易能動dv/dt制御法を提案した。この回路を,低コスト0.35μm HVJI CMOSプロセスを用いて,モノリシック3相ゲートドライバICに実装した。6つの離散GaN GITによるICを用いたパッケージ統合3相インバータは,12x12mmパッケージから226Wを供給でき,同じパッケージサイズで今日のシリコンベースインバータにより供給される電力の約2倍であることを示した。シミュレーションと実験の結果は,226Wまでのモータ負荷を駆動する統合IPMに対して提供した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  電力 ,  *電動機 ,  ケイ素 ,  電力消費 ,  制御方式 ,  *窒化ガリウム ,  金属線 ,  *電動機駆動 ,  パワーエレクトロニクス ,  IGBT
準シソーラス用語： パワーモジュール ,  受動素子 ,  電力損失 ,  スイッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  Git ,  電動機駆動 ,  インバータ ,  dT ,  ゲート ,  概念