文献

J-GLOBAL ID：202102254359615413   整理番号：21A0764031

窒化チタンゲートを持つSiGe MOS界面特性に対するALD高k材料の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of ALD high-k materials on SiGe MOS interface properties with TiN gate

著者 (4件)： LEE T.-E. (Univ. Tokyo) ,  TOPRASERTPONG K. (Univ. Tokyo) ,  TAKENAKA M. (Univ. Tokyo) ,  TAKAGI S. (Univ. Tokyo)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11p-Z10-6  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： 1.導入。SiGe MOSFETは,高い正孔移動度と適切なバンドギャップのため,pチャネルデバイスとして多くの注目を集めている。しかし,界面層(IL)におけるGeOxの望ましくない生成は,MOS界面劣化の起源として考えられる。窒化チタン/A...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *界面 ,  最適化 ,  アルミニウム ,  *ゲルマニウム ,  酸化物 ,  MOSFET ,  ドーピング ,  スペクトル ,  ダングリングボンド ,  パターン形成 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *窒化チタン ,  ゲートスタック ,  界面層 ,  亜酸化物 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒化チタン ,  ゲート ,  SiGe ,  MOS ,  界面特性 ,  ALD ,  高k材料