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J-GLOBAL ID：202102254463376190   整理番号：21A0222368

ホルムアミジニウムヨウ化鉛ペロブスカイトナノ結晶における抵抗スイッチング:バルク形への矛盾【JST・京大機械翻訳】

Resistive switching in formamidinium lead iodide perovskite nanocrystals: a contradiction to the bulk form

著者 (7件)： Muthu Chinnadurai (Photosciences and Photonics Section, CSIR-National Institute for Interdisciplinary Science and Technology (NIIST), Thiruvananthapuram 695 019, India. [e-mail]) ,  Resmi A. N. ,  Pious Johnpaul K. ,  Dayal G. ,  Krishna Nayana ,  Jinesh K. B. ,  Vijayakumar C.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 9  号： 1  ページ： 288-293  発行年： 2021年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッドペロブスカイトは,抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)デバイスと神経形態計算アプリケーションのための優れたクラスの材料として浮上している。多くのペロブスカイトの中で,ホルマジニウム鉛三ヨウ化物(α-FAPbI_3)はその優れた光電子特性により重要な材料である。しかし,それはヨウ化物空孔により形成されたフィラメントの破裂の困難さのために抵抗スイッチングを示さない。ここでは,一段階法で作製されたナノ結晶型におけるα-FAPbI_3のReRAMデバイス特性を報告する。バルク形と異なり,ナノ結晶は,プログラム/消去操作,データ保持,および約2Vの動作セット電圧での耐久性に関して,信頼できて再現性のあるメモリ特性を示した。著者らの研究は,ヨウ化物空格子点がスイッチングの原因であり,キャッピング配位子の存在がそれで重要な役割を果たすことを明らかにした。キャッピング配位子は,ヨウ化物空格子点間の相互作用エネルギーを減少させ,従って,後者により形成されたフィラメントは,リセットプロセスの間に容易に破断し,優れたReRAM特性をもたらした。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  電圧 ,  ヨウ化物 ,  再現性 ,  耐久性 ,  三ヨウ化物 ,  応用プログラム ,  フィラメント ,  ペロブスカイト型結晶 ,  光電子 ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  データリテンション ,  デバイス特性 ,  ReRAM ,  *ヨウ化鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 脂肪族アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  (CF03070L) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： ホルムアミジニウム ,  ヨウ化鉛 ,  ペロブスカイト ,  ナノ結晶 ,  抵抗スイッチング ,  バルク ,  矛盾