文献
J-GLOBAL ID:202102254470929285   整理番号:21A0590075

ウエハレベルマイクロキャスティング技術を用いて作製したシリコンチップベースの電磁振動エネルギーハーベスタ【JST・京大機械翻訳】

Silicon-chip based electromagnetic vibration energy harvesters fabricated using wafer-level micro-casting technique
著者 (11件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 035009 (10pp)  発行年: 2021年 
JST資料番号: W1424A  ISSN: 0960-1317  CODEN: JMMIEZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本論文は,オンチップ統合3D金属ソレノイドと磁石滑りチャネルを形成するために,ウエハレベルマイクロ鋳造技術で製作したシリコンチップベースの電磁(EM)振動エネルギーハーベスタを報告する。150-ターンコイルの多くのソレノイドは,溶融ZnAl_x合金を,7分以内に1つのウエハでプレマイクロマシンソレノイド鋳型に充填することによって同時に形成される。ソレノイドチップを得るための鋸ダイシング後,環境振動に応答する滑り永久磁石をソレノイド内のプレエッチングシリコンチャネルに挿入した。外部振動によって励起されて,磁石はチャネルでスライドして電力を発生する。マイクロ電気機械システム(MEMS)ハーベスタチップのサイズは10.5×2.5×1.7mm3である。実験結果は,エネルギーハーベスタが環境中の振動エネルギーを効率的に収集できることを示した。24Hzの周波数で49ms-2(すなわち5g)の励起加速振幅の下で,ハーベスタから発生した正規化出力密度(NPD)は12.38μWcm-3g-2に達した。報告した非MEMSワイヤウウンドEMハーベスタとオンチップ圧電/静電素子と比較して,このシリコンチップベースEMハーベスタは,はるかに優れたNPDを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
圧電デバイス  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  その他の発電 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る