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J-GLOBAL ID：202102255001993896   整理番号：21A1204744

GaN HEMT技術における24GHzサブハーモニックポンプ抵抗ミキサ【JST・京大機械翻訳】

A 24 GHz Sub-Harmonically Pumped Resistive Mixer in GaN HEMT Technology

著者 (3件)： Yan Yu (Chalmers University of Technology,Department of Microtechnology and Nanoscience,Goeteborg,Sweden) ,  Thi Do Thanh Ngoc (Chalmers University of Technology,Department of Microtechnology and Nanoscience,Goeteborg,Sweden) ,  Kuylenstierna Dan (Chalmers University of Technology,Department of Microtechnology and Nanoscience,Goeteborg,Sweden)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： BCICTS  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,先進窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)技術における24GHzサブ調和ポンプ抵抗ミキサ(SHM)の設計と特性評価を示した。ミキサは,高性能位相同期Wバンド信号源を組み立てるのに望ましく,単一平衡構成で設計され,そこでは,バランスのLO入力がオンチップ1次格子バルンによって生成される。測定において,12dB付近の変換損失を,22Ω≦28GHzのRF帯域幅と10dBmのLO電力を有する3×√6GHzのIF帯域幅で達成した。ミキサは13dBmのRF入力P1dBを示し,10GHzの所望のLOで,測定したLOからIF隔離は40dBを達成した。著者の知る限りでは,これはGaN HEMT技術における最初のサブ調和ポンプミキサである。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力 ,  位相同期 ,  帯域幅 ,  バルン ,  窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション ,  *HEMT
準シソーラス用語： オンチップ ,  変換損失 ,  信号源 ,  隔離 ,  *GaN HEMT ,  Wバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  HEMT ,  サブハーモニック ,  ミキサ