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J-GLOBAL ID：202102255011658391   整理番号：21A0253540

超臨界流体を用いた酸化膜上への銅薄膜直接成膜技術による高アスペクト比ナノ開口構造の埋め込みの実現

High-aspect-ratio silicon-embedded nanoscale wiring technology realized by copper super critical fluids deposition on oxide insulation film.

著者 (4件)： 宇佐美尚人 (東大) ,  肥後昭男 (東大) ,  太田悦子 (東大) ,  三田吉郎 (東大)
資料名： センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム(CD-ROM)  (センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム論文集(CD-ROM))
巻： 35th  ページ： ROMBUNNO.01pm1-PS-183  発行年： 2018年10月23日 
JST資料番号： X0768B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *超臨界流体 ,  *酸化膜 ,  *金属薄膜 ,  アスペクト比 ,  MEMS ,  バイアホール ,  構成 ,  層 ,  *銅薄膜 ,  高アスペクト比 ,  原子層 ,  シリコン貫通ビア ,  薄膜形成 ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： TSV【配線】 ,  成膜

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 超臨界流体 ,  酸化膜 ,  銅薄膜 ,  成膜 ,  高アスペクト比 ,  埋め込み