文献

J-GLOBAL ID：202102255098577511   整理番号：21A3383225

Arと真空中でのポストアニーリングによるEr注入ZnO膜の磁気モーメントの増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of magnetic moment of Er-implanted ZnO films by post-annealing in Ar and vacuum

著者 (10件)： Li Qian (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Yuan Heng (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Zhang Mengdi (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Yan Weiqing (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Liao Bin (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Liao Bin (Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China) ,  Zhang Xu (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Zhang Xu (Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China) ,  Ying Minju (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Ying Minju (Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 306  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Erイオンはイオン注入によりサファイア基板上に高周波磁気スパッタリング(RFMS)により調製したZnO膜に導入した。X線回折,Raman分光法,光ルミネセンス,X線光電子分光法および超伝導量子干渉素子の組み合わせキャラクタリゼーションにより,空気中,Arおよび真空雰囲気下,650°CでのEr注入ZnO膜の構造的および磁気的性質に対するアニーリング効果を系統的に調べた。強い室温強磁性が,注入およびアニールした膜で観察された。飽和磁化は種々のアニーリング条件に対して大きく変化することを見出した。真空中でアニールしたErドープZnOでは,酸素空孔濃度の増大を伴う磁化のかなりの増強が観察された。著者らの結果は,強磁性の増強がErドープZnOにおける酸素空孔の増加と強く相関するという明確な証拠を与える。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  イオン ,  強磁性 ,  *磁気モーメント ,  *焼なまし ,  光ルミネセンス ,  飽和磁化 ,  *アルゴン ,  *エルビウム ,  イオン注入 ,  *酸化亜鉛 ,  *磁気 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  *ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： イオン注入 ,  酸素空孔 ,  強磁性 ,  ErドープZnO ,  アニーリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ar ,  真空 ,  ポストアニーリング ,  Er ,  注入 ,  ZnO ,  磁気モーメント ,  増強