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J-GLOBAL ID：202102255502132028   整理番号：21A0589733

HgTe多重量子井戸レーザダイオードによるGaAsレストストラレンバンドにおけるレーザ発振の実現可能性【JST・京大機械翻訳】

Feasibility of lasing in the GaAs Reststrahlen band with HgTe multiple quantum well laser diodes

著者 (7件)： Afonenko Alexander (Belarusian State University, 220030 Minsk, Belarus) ,  Ushakov Dmitrii (Belarusian State University, 220030 Minsk, Belarus) ,  Alymov Georgy (Center for Photonics and 2d Materials, Moscow Institute of Physics and Technology, Dolgoprudny 141700, Russia) ,  Dubinov Aleksandr (Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Morozov Sergey (Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Gavrilenko Vladimir (Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Svintsov Dmitry (Center for Photonics and 2d Materials, Moscow Institute of Physics and Technology, Dolgoprudny 141700, Russia)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 54  号： 17  ページ： 175108 (9pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20~50μm波長範囲における半導体レーザの操作は,バンド間レーザダイオードにおける強い非放射再結合とGaAs系量子カスケード構造における強い格子吸収によって妨げられる。ここでは,Auger再結合抑制のために設計されたバンド構造を有する多重HgTe量子井戸に基づく電気的励起レーザダイオードを提案した。キャリアドリフトと拡散,量子井戸における電子と正孔捕獲,Auger再結合,および加熱効果を説明する包括的モデルを用いて,90Kまでの温度でλ=26,...,30μmでのレーザ発振の実現可能性を示した。パルスの出力は,マイクロ秒パルスで8mWに達することができる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンド構造 ,  *半導体レーザ ,  励起 ,  *ヒ化ガリウム ,  熱影響 ,  *多重化 ,  パルス ,  *テルル化水銀 ,  *レーザ発振 ,  *量子井戸 ,  *多重量子井戸
準シソーラス用語： キャリアドリフト ,  Auger再結合 ,  非放射再結合 ,  正孔捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (6件)： HgTe ,  多重量子井戸レーザ ,  ダイオード ,  GaAs ,  レーザ発振 ,  実現可能性