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J-GLOBAL ID：202102256105410586   整理番号：21A0993876

直列接続SiC-MOSFETのためのマルチステップパッケージ(MSP)の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of the Multi-Steps Package (MSP) for Series-Connected SiC-MOSFETs

著者 (5件)： Alves Luciano F. S. ,  Lefranc Pierre ,  Jeannin Pierre-Olivier ,  Sarrazin Benoit ,  Crebier Jean-Christophe
資料名： Electronics (Web)  (Electronics (Web))
巻： 9  号： 9  ページ： 1341  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7178A  ISSN： 2079-9292  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,直列接続SiC-MOSFETの多段パッケージング(MSP)概念を解析した。スタック内の各デバイスの誘電絶縁により発生する寄生容量がSiCデバイスの動的挙動に著しい影響を与え,電圧共有性能に影響する。本研究で行った研究は,古典的平面パッケージングによって導入された寄生容量ネットワークが直列接続SiC-MOSFETの電圧を不平衡することを明らかにする。したがって,MSPによって提供される新しいドレイン源寄生容量ネットワーク構成を,直列接続装置を通して電圧平衡を改善するために提案する。この概念を導入し,等価モデルと時間領域シミュレーションのおかげで解析した。解析を検証するために,4つの直列接続1.2kV SiC MOSFET間の電圧共有を二重パルス試験装置で試験した。実験結果は,MSPが電圧共有に関して古典的ものより良い性能を有することを確認した。さらに,提案した調査は,MSPがスイッチングセルの中点dv/dtを増加させることを示した。感度分析と熱管理考察も,MSP限界を明確にするために論じ,熱の観点からMSPを最適化する方法を示す。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  スイッチング ,  電圧 ,  ネットワーク ,  熱管理 ,  感度解析 ,  *MOSFET ,  非平衡状態 ,  *炭化ケイ素 ,  *直列接続 ,  パルス ,  漂遊容量 ,  ネットワークアーキテクチャ
準シソーラス用語： 時間領域シミュレーション ,  等価モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 直列接続 ,  SiC-MOSFET ,  包装

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• Wang, J.; Zhao, T.; Li, J.; Huang, A.Q.; Callanan, R.; Husna, F.; Agarwal, A. Characterization, Modeling, and Application of 10-kV SiC MOSFET. IEEE Trans. Electron. Devices 2008, 55, 1798-1806.
• Alves, L.F.S.; Gomes, R.C.M.; Lefranc, P.; Pegado, R.D.A.; Jeannin, P.-O.; Luciano, B.A.; Rocha, F.V. SIC power devices in power electronics: An overview. In Proceedings of the 2017 Brazilian Power Electronics Conference (COBEP), Juiz de Fora, Brazil, 19-22 November 2017; pp. 1-8.
• Luciano, F.S.A.; Van-Sang, N.; Pierre, L.; Benoît, S.; Pierre-Olivier, J.; Alexis, D.; Jean-Christophe, C. Gate Driver Architectures Impacts on Voltage Balancing of SiC MOSFETs in Series Connection. In Proceedings of the 2018 20th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE’18 ECCE Europe), Riga, Latvia, 17-21 September 2018; pp. P.1-P.9.
• Mainali, K.; Tripathi, A.; Madhusoodhanan, S.; Kadavelugu, A.; Patel, D.; Hazra, S.; Hatua, K.; Bhattacharya, S. A Transformerless Intelligent Power Substation: A three-phase SST enabled by a 15-kV SiC IGBT. IEEE Power Electron. Mag. 2015, 2, 31-43.
• Eni, E.-P.; Kerekes, T.; Uhrenfeldt, C.; Teodorescu, R.; Munk-Nielsen, S.; Emanuel-Petre, E. Design of low impedance busbar for 10 kV, 100 A 4H-SiC MOSFET short-circuit tester using axial capacitors. In Proceedings of the 2015 IEEE 6th International Symposium on Power Electronics for Distributed Generation Systems (PEDG), Aachen, Germany, 22-25 June 2015; pp. 1-5.

タイトルに関連する用語 (5件)： 直列接続 ,  SiC ,  MOSFET ,  MSP ,  解析