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J-GLOBAL ID：202102256157076789   整理番号：21A1746811

BaFe_12-xTi_xO_19の構造,磁化および抵抗率の変化【JST・京大機械翻訳】

Changes in the Structure, Magnetization, and Resistivity of BaFe_12-xTi_xO₁₉

著者 (24件)： Vinnik Denis A. (South Ural State University, Russia) ,  Starikov Andrey Yu. (South Ural State University, Russia) ,  Zhivulin Vladimir E. (South Ural State University, Russia) ,  Astapovich Kseniya A. (Scientific Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus, Belorussia) ,  Turchenko Vitaliy A. (South Ural State University, Russia) ,  Turchenko Vitaliy A. (Frank Laboratory of Neutron Physics, Joint Institute for Nuclear Research, Russia) ,  Turchenko Vitaliy A. (Donetsk Institute of Physics and Technology named after O.O. Galkin of the NASU, Ukraine) ,  Zubar Tat’yana I. (South Ural State University, Russia) ,  Zubar Tat’yana I. (Scientific Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus, Belorussia) ,  Trukhanov Sergei V. (South Ural State University, Russia) ,  Trukhanov Sergei V. (Scientific Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus, Belorussia) ,  Trukhanov Sergei V. (National University of Science and Technology “MISiS”, Russia) ,  Kohout Jaroslav (Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Czech Republic) ,  Kmjec Tomas (Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Czech Republic) ,  Yakovenko Olena (Physics Department, Taras Shevchenko National University, Ukraine) ,  Matzui Lyudmila (Physics Department, Taras Shevchenko National University, Ukraine) ,  Sombra Antonio Sergio B. (Department of Physics, Federal University of Ceara, Ceara, Brazil) ,  Zhou Di (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, China) ,  Jotania Rajshree B. (Department of Physics, Electronics and Space Science, Gujarat University, Gujarat, India) ,  Singh Charanjeet (School of Electronics and Electrical Engineering, Lovely Professional University, Punjab, India) ,  Yang Yujie (Engineering Technology Research Center of Magnetic Materials, School of Physics & Materials Science, Anhui University, P. R. China) ,  Trukhanov Alex V. (South Ural State University, Russia) ,  Trukhanov Alex V. (Scientific Practical Materials Research Centre of NAS of Belarus, Belorussia) ,  Trukhanov Alex V. (National University of Science and Technology “MISiS”, Russia)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 3  号： 4  ページ： 1583-1593  発行年： 2021年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： x=2.00までのBaFe_12-xTi_xO_19ヘキサフェライトを通常のセラミック法で作製した。結晶構造パラメータをRietveld法により粉末XRDから300Kで等温的に定義した。格子定数は,x=1.00で,約5.886ÅとV698.75Å3の極小値を持つ非単調濃度依存性を持つ。チタンカチオンの占有機構を確認した。Moessbauer研究は,Ti4+のそのような局在化を確認した。磁化対磁場測定を300Kで行った。飽和法(LAS)の法則を適用して磁気ループ特性を決定した。これらの値はチタン濃度と温度の増加と共にほぼ単調に減少した。最小磁気値は300Kでx=2.00で得られた。Ac抵抗率は非単調成長依存性を有した。最小ac抵抗率は300Kでx=0.50に固定された。周波数が増加すると,バンドギャップの値としてac抵抗率は減少した。誘電率ε/risの実部は,温度上昇とともに常に増加し,全ての組成で周波数の増加と共に低下した。BaFe_12-xTi_xO_19の構造,磁化およびac抵抗率の変化を,鉄イオンの荷電状態の変化およびチタンイオンによる占有機構に基づいて行った。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  *磁化 ,  *電気抵抗率 ,  粉体 ,  誘電率 ,  チタン ,  温度依存性 ,  濃度依存性 ,  磁気 ,  カチオン ,  バンドギャップ ,  Rietveld法
準シソーラス用語： ヘキサフェライト ,  鉄イオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ドープしたバリウムヘキサフェライト ,  結晶構造 ,  磁気結晶学的異方性 ,  ac伝導率 ,  誘電率

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 磁化 ,  抵抗率