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J-GLOBAL ID：202102256269205105   整理番号：21A1144698

部分欠陥メモリセルのための限界とコード構築【JST・京大機械翻訳】

Bounds and Code Constructions for Partially Defect Memory Cells

著者 (3件)： Al Kim Haider (Technical University of Munich (TUM),Institute for Communications Engineering,Germany) ,  Puchinger Sven (Technical University of Denmark (DTU),Department of Applied Mathematics and Computer Science,Denmark) ,  Wachter-Zeh Antonia (Technical University of Munich (TUM),Institute for Communications Engineering,Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ACCT  ページ： 1-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,いわゆる部分スタックメモリセルに対する符号化を考察した。そのようなメモリセルは,例えば,摩耗アウトのために,それらのレベルの一部を使用できないので,部分情報を保存できる。最初に,そのような部分縮退セルをマスキングするための新しいコード構築を示し,さらに誤差を修正した。この構築(q>2レベルを持つセル)は,誤差を補正するために,既存のマスキングのみの建設(バイナリコードに基づく)を一般化することによって達成される。[2]における以前の構築と比較して,著者らの新しい構築は,多くのパラメータセットに対してより大きな速度を達成した。第2に,ある数の部分縮退セルと正しい誤差をマスクできるコードのために,球充填(u部分縮退セル)とGilbert-Varshamov境界(u<q部分縮退セル)を導いた。[2]におけるケースu<qに対するPSMCの新しい限界と著者らの以前の構築の間の数値比較は,著者らの構築がいくつかのコードパラメータに対してGilbert VoIPVarshamov様境界上にあることを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： マスキング ,  摩耗 ,  記憶素子 ,  *縮退
準シソーラス用語： バイナリコード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 欠陥 ,  メモリセル ,  限界 ,  構築