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J-GLOBAL ID：202102256365341544   整理番号：21A0149983

MOSトランジスタのための局所不整合モデルのモデリング方法【JST・京大機械翻訳】

Modeling Method of Local Mismatch Model for MOS Transistors

著者 (1件)： Gu Jinglun (Shanghai Huali Microelectronics Corporation,Division of Technology Development,Shanghai,China,201210)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,MOSSPICE局所ミスマッチモデルを提示し,その中で,既存のSPICE局所不整合モデル方程式に温度効果係数を加えた。MOSデバイスのSPICE局所ミスマッチモデルに及ぼす温度変化の影響を,完全に考察した。本論文は,温度の変化による局所不整合の変化を正確に反映することができ,SPICE局所不整合モデルは,より広い応用範囲と測定データとのより高い一致度を有する。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MOSFET ,  温度依存性 ,  温度変動 ,  *不整合

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSトランジスタ ,  不整合 ,  モデル ,  モデリング