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J-GLOBAL ID:202102256509779317   整理番号:21A0151183

磁気制約に基づく直列接続SiC MOSFETのための駆動回路【JST・京大機械翻訳】

A Drive Circuit for Series-Connected SiC MOSFETs Based on Magnetic Constraint
著者 (5件):
資料名:
巻: 2020  号: ICEMS  ページ: 678-682  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高電圧の適用の下で,単一電力装置とモジュール装置の両方が,ブロッキング電圧を強化するために直列に接続される必要がある。直列接続デバイスでは,わずかな電圧不整合は,高周波と高電圧の条件下で,高い電力損失とデバイスへの損傷さえもたらす。駆動電圧の同期は動的電圧バランスを確保するための必要条件である。本論文では,磁気制約に基づく直列接続におけるSiC MOSFETの駆動回路を提案し,確実に駆動電圧同期を行う。変圧器の1次側に適用した1つの標準ゲートドライバだけが,効果的な電気絶縁を提供する。提案したトポロジーの操作原理をターンオンとオフ遷移の間に解析した。最後に,シミュレーション結果および実験波形を,直列接続におけるSiC MOSFETのための駆動回路の実現可能性を検証するために示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 

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