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J-GLOBAL ID：202102257540000132   整理番号：21A0168530

二次元アルカリ系クロムカルコゲナイドにおける固有強磁性半導体【JST・京大機械翻訳】

Intrinsic Ferromagnetic Semiconductors in Two-Dimensional Alkali-Based Chromium Chalcogenides

著者 (6件)： Xu Wangping (Department of Physics, Chongqing University, China) ,  Xu Wangping (Department of Physics, Southern University of Science and Technology, China) ,  Ali Sajjad (Department of Physics, Southern University of Science and Technology, China) ,  Jin Yuanjun (Department of Physics, Southern University of Science and Technology, China) ,  Wu Xiaozhi (Department of Physics, Chongqing University, China) ,  Xu Hu (Department of Physics, Southern University of Science and Technology, China)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 12  ページ： 3853-3858  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)固有強磁性半導体(FMS)は,それらの魅力的な電子電荷とスピン特性により大きな注目を受け,スピントロニクス素子の有望な候補である。本研究では,アルカリベースのクロムカルコゲン化物(XCrY_2,X=LiおよびNa;Y=S,SeおよびTe)中の単層FMSのクラスを提案した。提案した単分子層XCrY_2は,それらの対応するバルク対応物から剥離することが期待されるが,これは第一原理計算により確認された。著者らの計算は,これらの単分子層FMSがIsingとHeisenbergモデルを用いて高いCurie温度を有する強磁性基底状態を示すことを示した。ハイブリッド関数計算は,LiCrSe_2,NaCrSe_2およびNaCrTe_2が望ましい直接バンドギャップを有することを示した。さらに,スピン-軌道(SOC)効果は正孔の有効質量を大きく変えることができ,より高い正孔移動度(3×103cm2v-1s-1)をもたらすことが分かった。本研究は2D固有FMSを実現するための実行可能な方法を提供する。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Curie温度 ,  基底状態 ,  *強磁性 ,  正孔 ,  電荷 ,  *半導体 ,  単分子層 ,  カルコゲン化物 ,  *二次元 ,  有効質量 ,  *強磁性半導体
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  正孔移動度 ,  スピントロニクス素子 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2次元 ,  FM半導体 ,  高いCurie温度 ,  直接バンドギャップ ,  高移動度

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： アルカリ ,  クロム ,  カルコゲナイド ,  固有 ,  強磁性半導体