文献

J-GLOBAL ID：202102257714463036   整理番号：21A0026190

二次元ヘリカル電子系における面内Hall効果【JST・京大機械翻訳】

In-plane Hall effect in two-dimensional helical electron systems

著者 (1件)： Zyuzin Vladimir A. (Department of Physics and Astronomy, Texas A&M University, College Station, Texas 77843-4242, USA and Nordita, KTH Royal Institute of Technology and Stockholm University, Roslagstullsbacken 23, SE-106 91 Stockholm, Sweden)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 102  号： 24  ページ： 241105  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン-軌道結合を有する二次元電子系のBerry曲率駆動とZeeman磁場依存性電流応答を研究した。印加面内磁場で発生する電流の非散逸成分について述べた。この成分は電場に横方向であり,磁場中で奇数であり,スピン-軌道結合によって定義される磁場の1つの特定の方向だけに依存する。この効果は[数式:原文を参照]対称性を持つ多くの系で観測できることを示した。Copyright 2021 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Hall効果 ,  磁場 ,  対称性 ,  電場 ,  電流 ,  *二次元 ,  *電子系 ,  奇数
準シソーラス用語： 二次元電子系 ,  磁場依存性 ,  電流応答 ,  面内磁場 ,  Berry曲率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電子系 ,  Hall効果