タンタルカプセル化によるZnONトランジスタのキャリア移動度の改善

KIM Min Jae; JEONG Jae Kyeong

文献

J-GLOBAL ID：202102258256871882 整理番号：21A1334031

タンタルカプセル化によるZnONトランジスタのキャリア移動度の改善

Improvement in Carrier Mobility of ZnON Transistor by Tantalum Encapsulation

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資料名：
巻： 26th (CD-ROM) ページ： ROMBUNNO.AMDp1-1 発行年： 2019年11月26日
JST資料番号： U2298A ISSN： 1883-2490 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

・本論文では,スカベンジングおよびカプセル化層としてのTaO_x薄膜を使用,膜はDCスパッタリングとそれに続く適度なアニーリングプロセスにより堆積。
・TaO_x/ZnONスタックは,ZnON膜全体の均一な結晶化と,欠陥中心が少なく自由電子密度が高い化学量論的Zn₃N₂部の増加を実現。
・TaO_x/ZnON-TFTでは,移動度が89.4cm²/Vsに向上,この改善はZnONに対するTaO_x膜の除去およびパッシベーション効果によって説明可能。
・保護TaO_x形成を使用する新しいカプセル化法は,高性能で信頼性の高いZnON-TFTを製造するための有用な手法となる可能性を示唆。

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トランジスタ

引用文献 (13件)：

Ye, Y.; Lim, R.; White, J. M. High Mobility Amorphous Zinc Oxynitride Semiconductor Material for Thin Film Transistors. J. Appl. Physics. 2009, 106,074512.
Kim, H.-S.; Jeon, S. H.; Park, J. S.; Kim, T. S.; Son, K. S.; Seon, J.-B.; Seo, S.-J.; Kim, S.-J.; Lee, E.; Chung, J. G.; Lee, H.; Han, S.; Ryu, M.; Lee, S. Y.; Kim, K. Anion Control as a Strategy to Achieve Highmobility and High-stability Oxide Thin-film Transistors. Sci. Rep. 2013, 3, 1459.
Gao, H.; Zhang, X.; Zhao, Y.; Yan, B. The Correlation of Material Properties and Deposition Condition of ZnON Thin Films. AIP Adv. 2017, 7,025111.
Lany, S.; Zunger, A. Anion Vacancies as a Source of Persistent Photoconductivity in II-VI and Chalcopyrite Semiconductors. Phys. Rev.B 2005, 72, 035215.
Lee, E.; Benayad, A.; Shin, T.; Lee, H.; Ko, D. S.; Kim, T. S.; Son, K. S.; Ryu, M.; Jeon, S.; Park, G. S. Nanocrystalline ZnON; High Mobility and Low Band Gap Semiconductor Material for High Performance Switch Transistor and Image Sensor Application. Sci. Rep. 2014, 4, 4948.

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