文献

J-GLOBAL ID：202102258579600867   整理番号：21A1275315

触媒活性自立材料を作製するための欠陥誘起無電解めっきと選択的レーザ焼結成形を組み合わせた容易なプロセス【JST・京大機械翻訳】

A facile process combined with defect-induced electroless plating and selective laser sintering forming to fabricate catalytically active free-standing material

著者 (15件)： Zhang Ruxia (School of Materials and Optoelectronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhang Ruxia (Shanghai Genius Advanced Materials Co., Ltd., Shanghai, China) ,  Zhang Ruxia (Hefei Genius Advanced Materials Co., Ltd,, Hefei, China) ,  Gui Chengmei (School of Chemistry and Chemical Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, China) ,  Gui Chengmei (Shanghai Genius Advanced Materials Co., Ltd., Shanghai, China) ,  Gui Chengmei (Hefei Genius Advanced Materials Co., Ltd,, Hefei, China) ,  Huang Junjun (School of Chemistry and Chemical Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, China) ,  Huang Junjun (Department of Chemical and Materials Engineering, Hefei University, Hefei, China) ,  Huang Junjun (Guangxi Key Laboratory of Calcium Carbonate Resources Comprehensive Utilization, College of Materials and Chemical Engineering, Hezhou University, Hezhou, China) ,  Chen Zhenming (Guangxi Key Laboratory of Calcium Carbonate Resources Comprehensive Utilization, College of Materials and Chemical Engineering, Hezhou University, Hezhou, China) ,  Yang Guisheng (School of Materials and Optoelectronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Yang Guisheng (School of Chemistry and Chemical Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, China) ,  Yang Guisheng (Department of Chemical and Materials Engineering, Hefei University, Hefei, China) ,  Yang Guisheng (Shanghai Genius Advanced Materials Co., Ltd., Shanghai, China) ,  Yang Guisheng (Hefei Genius Advanced Materials Co., Ltd,, Hefei, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 31  号： 20  ページ： 17810-17818  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 触媒的に活性な自立ハイブリッド材料(CAFH)の調製のための最も一般的な方法は,支持材料が形成され,その後,その表面に沈着する触媒である。しかし,異なる形状およびサイズを有するCAFHをアジャイルに調製することは困難であった。CAFHを作製するため,欠陥誘起無電解ニッケルめっきと選択的レーザ焼結(SLS)成形を組み合わせた容易なプロセスを採用した。その結果,CH_3COOHエッチング処理は,ナイロン12(PA12)表面上に欠陥(非晶質構造,アミド基および正孔)の形成をもたらし,無電解Niめっきを誘起することが分かった。無電解めっきの機構は,欠陥の周りの[C_6H_5O_73--Ni]配位子の構造の破壊である。その後,REDOXバリアの還元。めっきPA12粉末のレーザ焼結は不規則なネットワークでCAFHを製造できた。SLSプロセスには2つの段階がある:粒子のボール化と焼結ネックの形成。構造安定性,高い表面積およびリサイクル性の組合せは,CAFHを触媒特性で示した。CAFHはアジャイルであり,迅速から組み立てられた材料を容易にし,CAFH形状設計で実現可能であった。新技術は,広大な探査と応用価値を持っている。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  *焼結 ,  表面積 ,  粉体 ,  ネットワーク ,  *めっき ,  *無電解めっき ,  *触媒活性 ,  リサイクル ,  *レーザ焼結
準シソーラス用語： 構造安定性 ,  ハイブリッド材料 ,  アミド基 ,  触媒特性 ,  無電解ニッケルめっき , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 触媒活性 ,  自立 ,  作製 ,  欠陥 ,  誘起 ,  無電解めっき ,  選択的レーザ焼結 ,  プロセス