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J-GLOBAL ID:202102259334972490   整理番号:21A0993436

65nm CMOSにおける128.76~129.56GHz基本電圧制御発振器【JST・京大機械翻訳】

128.76-129.56 GHz Fundamental Voltage Control Oscillator in 65 nm CMOS
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 898  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7178A  ISSN: 2079-9292  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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本論文は,基本電圧制御発振器(VCO)を提示して,その動作周波数は128.76GHzから129.56GHzにわたった。差動低負結合遮蔽スイッチ(DLNCSS)インダクタを提案し,解析し,提示したVCOの同調範囲と位相雑音を改善するのに役立った。一方,DLNCSSインダクタと共通陰極構造を用いた差動バラクタから成る改良型変圧器結合共振タンクを用いて,提案したVCOの位相雑音をさらに改善した。このVCOを設計し,65nm CMOSプロセスを用いて製作し,全ての試験パッドを含む0.23mm2のコンパクトな面積を占有した。測定結果は,このVCOが1.4V供給から11.2mWを消費し,0.8GHzの同調範囲を持つことを示した。出力パワーは,動作周波数帯において11.8dBmから10.6dBmにわたった。レイアウト後のシミュレーションは,1MHzの位相雑音が82dBc/Hzより良いことを示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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発振回路 
引用文献 (20件):
  • Huang, P.C.; Tsai, M.D.; Vendelin, G.D.; Wang, H.; Chen, C.H.; Chang, C.S. A low-power 114 GHz push-push CMOS VCO using LC source degeneration. IEEE JSSC 2007, 42, 1230-1239.
  • Shang, Y.; Yu, H.; Liang, Y.; Bi, X.; Annamalai, M. Millimeter-wave sources at 60 and 140 GHz by magnetic-plasmon-waveguide-based in-phase coupled oscillator network in 65-nm CMOS. IEEE Trans. MTT 2016, 64, 1560-1571.
  • Holisaz, H.; Safavi-Naeini, S. A low noise D-Band VCO with a wide bandwidth and a steady output power. IEEE MWCL 2015, 25, 742-744.
  • Zhang, J.; Sharma, N.; Choi, W.; Shim, D.; Zhong, Q. 85-to-127 GHz CMOS signal generation using a quadrature VCO with passive coupling and broadband harmonic combining for rotational spectroscopy. IEEE JSSC 2015, 50, 1361-1371.
  • Volkaerts, W.; Steyaert, M.; Reynaert, P. 118 GHz fundamental VCO with 7.8% tuning range in 65nm CMOS. In Proceedings of the 2011 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, Baltimore, MD, USA, 5-7 June 2011; pp. 1-4.
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