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J-GLOBAL ID：202102259617047445   整理番号：21A0438101

VN/GaN/VN van der Waalsヘテロ構造におけるスピンバルブ効果【JST・京大機械翻訳】

Spin valve effect in VN/GaN/VN van der Waals heterostructures

著者 (6件)： Ye Haoshen (School of Materials and Physics, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, China) ,  Zhu Yijie (School of Materials and Physics, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, China) ,  Bai Dongmei (School of Mathematics, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, China) ,  Zhang Junting (School of Materials and Physics, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, China) ,  Wu Xiaoshan (National Lab of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Wang Jianli (School of Materials and Physics, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, China)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 103  号： 3  ページ： 035423  発行年： 2021年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Nitrideベースのvan der Waals磁気ヘテロ構造は,電子の電荷とスピン度の両方を同時に利用することができ,低次元スピントロニクスデバイスのための重要な材料である。本研究では,第一原理計算により,GaN/VNおよびVN/GaN/VN van der Waalsヘテロ構造の安定性および電子および磁気特性を研究した。GaN/VN van der Waalsヘテロ構造は100%スピン分極を有する半金属であり,スピンフィルタとスピン注入に適用できる。単層GaNは非磁性半導体であるが,GaN/VNおよびVN/GaN/VN van der Waalsヘテロ構造における磁気近接効果を介して半金属特性を導入することができる。六方晶VNの容易磁化軸は,異なる軌道占有のために六方晶GaNと結合後,面外から面内方向へ移行する。さらに,VN/GaN/VN van der Waalsヘテロ構造の電子特性は,VN層の磁気配置に大きく依存する。平行または逆平行磁気配置を適用することにより,VN/GaN/VN van der Waalsヘテロ構造は半金属および半導体特性を示した。変態は,VN/GaN/VN van der Waalsヘテロ構造が室温van der Waalsスピンバルブデバイスの有望な候補であることを示した。Copyright 2021 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁化 ,  半導体 ,  磁気的性質 ,  スピン分極 ,  磁気 ,  六方晶系 ,  近接効果 ,  半金属 ,  磁性半導体 ,  *窒化ガリウム ,  単一層 ,  金属性
準シソーラス用語： *スピンバルブ ,  *ヘテロ構造 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  スピンバルブ