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J-GLOBAL ID：202102260262519917   整理番号：21A0992171

I-V特性をもつAlGaN/GaN HFETの物理ベースコンパクトモデルへの分極Coulomb場散乱の応用【JST・京大機械翻訳】

Application of Polarization Coulomb Field Scattering to a Physics-Based Compact Model for AlGaN/GaN HFETs with I-V Characteristics

著者 (5件)： Yang Yongxiong (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Lv Yuanjie (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Shijiazhuang 050051, China) ,  Lin Zhaojun (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Jiang Guangyuan (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Liu Yang (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
資料名： Electronics (Web)  (Electronics (Web))
巻： 9  号： 10  ページ： 1719  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7178A  ISSN： 2079-9292  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HFETの出力電流電圧(IV)特性の物理ベースモデルをAlGaAs/GaAs HFETに基づいて開発した。分極Coulomb場(PCF)散乱がチャネル電子移動度に大きく影響することを実証した。異なるゲートバイアスで,チャネル電子移動度はPCF散乱によって変化する。さらに,より負のゲートバイアスとデバイスのlg/lsd(ゲート長/ソース-ドレイン空間)の低い比がPCF散乱を引き起こし,チャネル電子移動度に強い影響を与える。本研究は,IV特性を有するAlGaN/GaN HFETの物理ベースモデルにPCF散乱を適用し,その結果は,PCF散乱がAlGaN/GaN HFETのIV特性を同定するための物理ベースモデルに必須であることを示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *散乱 ,  電圧 ,  電場 ,  *分極 ,  *電流電圧特性 ,  チャネル
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  ゲート長 ,  *HFET ,  *AlGaN/GaN ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaN/GaN HFET ,  物理学に基づくモデル ,  コンパクト ,  PCF散乱 ,  低電界キャリア移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• Khandelwal, S.; Chauhan, Y.S.; Fjeldly, T.A.; Ghosh, S.; Pampori, A.; Mahajan, D.; Dangi, R.; Ahsan, S.A. ASM GaN: Industry Standard Model for GaN RF and Power Devices-Part 1: DC, CV, and RF Model. IEEE Trans. Electron Devices 2019, 66, 80-86.
• Albahrani, S.A.; Mahajan, D.; Hodges, J.; Chauhan, Y.S.; Khandelwal, S. ASM GaN: Industry Standard Model for GaN RF and Power Devices-Part-II: Modeling of Charge Trapping. IEEE Trans. Electron Devices 2019, 66, 87-94.
• Ghosh, S.; Sharma, K.; Agnihotri, S.; Chauhan, Y.S.; Iniguez, B. Modeling of temperature effects in a surface-potential based ASM-HEMT model. In Proceedings of the 2014 IEEE 2nd International Conference on Emerging Electronics (ICEE), Bengalore, India, 3-6 December 2014; pp. 1-4.
• Khandelwal, S.; Chauhan, Y.S.; Hodges, J.; Albahrani, S.A. Non-Linear RF Modeling of GaN HEMTs with Industry Standard ASM GaN Model (Invited). In Proceedings of the 2018 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), San Diego, CA, USA, 15-17 October 2018; pp. 93-97.
• Turin, V.O. A modified transferred-electron high-field mobility model for GaN devices simulation. Solid-State Electron. 2005, 49, 1678-1682.

タイトルに関連する用語 (10件)： I-V特性 ,  AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  物理 ,  コンパクトモデル ,  分極 ,  Coulomb ,  散乱 ,  応用