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J-GLOBAL ID：202102260280889850   整理番号：21A0562751

超小型14.9W XバンドGaN MMIC電力増幅器【JST・京大機械翻訳】

An Ultra-compact 14.9-W X-Band GaN MMIC Power Amplifier

著者 (2件)： Huang Li-Hsien (National Central University,Department of Electrical Engineering,No.300, Jhongda Rd, JhongTi Distr,Taoyuan,Taiwan) ,  Chiou Hwann-Kaeo (National Central University,Department of Electrical Engineering,No.300, Jhongda Rd, JhongTi Distr,Taoyuan,Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： APMC  ページ： 257-259  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,WINTM0.25-μm GaN-on-SiC HEMT技術を用いて設計した超コンパクト14.9W XバンドGaN電力増幅器(PA)を提示した。コンパクトなPAを設計するために,簡単な4方向電力結合構造を用いて,面積比当たりの高出力電力を得た。パルスモード測定は14.9Wの飽和出力と2.1×1.65mm2のチップ面積で37%の最大電力付加効率(PAE)を示した。提案したPAは,最近設計したXバンドGaN PAモノリシックマイクロ波集積回路(MMICs)の中で最良の性能指数(FoM)である4.3W/mm2の面積比あたり電力を達成した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電力 ,  *電力増幅器 ,  炭化ケイ素 ,  性能指数 ,  *窒化ガリウム ,  HEMT ,  *MMIC ,  電力付加効率
準シソーラス用語： 超小型 ,  *Xバンド ,  チップ面積 ,  出力電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： Xバンド ,  GaN ,  MMIC電力増幅器