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J-GLOBAL ID：202102260823000440   整理番号：21A0877167

液体ターゲットマグネトロンスパッタエピタクシーによるGaNナノロッドアレイの高選択成長【JST・京大機械翻訳】

High-Selectivity Growth of GaN Nanorod Arrays by Liquid-Target Magnetron Sputter Epitaxy

著者 (7件)： Serban Elena Alexandra ,  Prabaswara Aditya ,  Palisaitis Justinas ,  Persson Per Ola Åke ,  Hultman Lars ,  Birch Jens ,  Hsiao Ching-Lien
資料名： Coatings (Web)  (Coatings (Web))
巻： 10  号： 8  ページ： 719  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7162A  ISSN： 2079-6412  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に成長した選択領域成長,無触媒GaNナノロッド(NR)アレイを,液体ターゲット反応性マグネトロンスパッタエピタクシー(MSE)を用いて実現した。集束イオンビームリソグラフィー(FIBL)をTiNxマスクを有するSi基板パターンに適用した。液体GaターゲットをArとN_2の混合ガス中でスパッタリングし,N_2分圧(PN_2)比を100%から50%に変えた。NRの成長は,半径方向と軸方向の両方におけるNRsの選択性,合体,および成長速度に関するPN2との強い相関を示した。ナノホール内に形成されたNRの成長速度はPN2と共に単調に増加した。80%と90%の間のPN2比は,高い成長速度と高い選択性の両方を与えることが分かった。PN2比が80%以下のとき,多重NRがナノホールに形成された。90%以上のPN2比に対して,寄生性NRをマスク上に成長させた。PN2比に対する成長挙動の観察された依存性は,衝突反応種,表面拡散性および吸着原子の滞留時間の影響として,基板表面における有効Ga/N比の変化に起因する。NR成長制御の機構を,ナノホールアレイピッチと成長温度の効果を研究することによってさらに調査した。表面拡散と吸着原子の直接的な衝突は,NRの横方向と軸方向の成長速度に影響する支配的な因子であり,収集面積モデルによりよく解明された。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  集束 ,  アルゴン ,  *ガリウム ,  多重化 ,  分圧 ,  リソグラフィー ,  *窒化ガリウム ,  成長速度 ,  集束イオンビーム ,  *選択成長 ,  *ナノロッド
準シソーラス用語： 吸着原子 ,  ナノホール ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  マグネトロンスパッタエピタクシー ,  選択領域成長 ,  ナノロッド ,  リソグラフィー ,  集束イオンビーム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (52件)：

• Hu, J.; Zhang, Y.; Sun, M.; Piedra, D.; Chowdhury, N.; Palacios, T. Materials and processing issues in vertical GaN power electronics. Mater. Sci. Semicond. Process. 2018, 78, 75-84.
• Ambacher, O. Growth and applications of Group III-nitrides. J. Phys. D Appl. Phys. 1998, 31, 2653-2710.
• Bao, A. Group III-nitride nanowires. Mater. Sci. Technol. 2017, 33, 765-776.
• Zhao, S.; Nguyen, H.P.T.; Kibria, M.G.; Mi, Z. III-Nitride nanowire optoelectronics. Prog. Quantum Electron. 2015, 44, 14-68.
• Gurnett, K.; Adams, T. Native substrates for GaN: The plot thickens. III-Vs Rev. 2006, 19, 39-41.

タイトルに関連する用語 (6件)： 液体ターゲット ,  マグネトロンスパッタ ,  エピタクシー ,  GaN ,  ナノロッドアレイ ,  選択成長