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J-GLOBAL ID：202102261442003140   整理番号：21A0013192

先進ハードウェアセキュリティのための電荷捕獲FinFETの確率的短期回復を用いたロバストな真の乱数発生器【JST・京大機械翻訳】

Robust True Random Number Generator Using Stochastic Short-term Recovery of Charge Trapping FinFET for Advanced Hardware Security

著者 (15件)： Yang Jianguo (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Ding Qingting (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Gong Tiancheng (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Luo Qing (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Xue Xiaoyong (ASIC and System State Key Laboratory, School of Microelectronics, Fudan University,China) ,  Gao Zhaomeng (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Yu Haoran (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Yu Jie (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Xiaoxin (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Yuan Peng (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Li Xiaoyan (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Tai Lu (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Chung Steve S. (National Chiao Tung University) ,  Lv Hangbing (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,電荷トラップ(CT)FinFETデバイスの確率的短期回復を利用した新しい真の乱数発生器(TRNG)を実証した。ディジタル計数器によるCT-FinFETの回復時間をディジタル計数器(TDC)ユニットで測定することによって,真のランダムビットを生成した。得られたCT-TRNG回路は,広い温度(-20から85°C)にわたって,振幅が600mVまで,周波数が1.5GHzまでの電力雑音に対して大きな免疫を示した。それは,すべてのNIST 800-22とNIST 800-90Bランダム性試験に合格した。この新規CT-TRNGは,今日まで最も有望な高信頼性ハードウェアセキュリティソリューションであることを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  電力 ,  計数器 ,  *乱数発生器 ,  ディジタル方式 ,  *ロバスト性
準シソーラス用語： *FinFET ,  ランダム性 ,  *電荷捕獲 ,  高信頼性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (9件)： ハードウェア ,  セキュリティ ,  電荷捕獲 ,  FinFET ,  確率 ,  短期 ,  回復 ,  ロバスト ,  乱数発生器