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J-GLOBAL ID:202102261648612692   整理番号:21A0984947

定電流源ドライバ下の準閾値電圧によるIGBT接合温度測定【JST・京大機械翻訳】

IGBT Junction Temperature Measurement via Quasi-threshold Voltage Under Constant Current Source Driver
著者 (4件):
資料名:
巻: 2020  号: IPEMC - ECCE Asia  ページ: 66-72  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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熱感受性電気パラメータ(TSEP)法は,信頼性評価のための電力半導体デバイスの接合温度測定に広く適用されている。本論文では,ターンオンプロセス中の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の接合温度を測定する方法を提案した。準閾値電圧を,IGBTモジュールのKelvinと電力エミッタ端子の間の寄生インダクタを利用して,一定電流源(CCS)ドライバの下で接合温度を抽出するためのTSEPの指標として採用した。接合温度と準閾値電圧の間の関係を調べた。動的スイッチング特性試験プラットフォームを確立して,理論解析を実験的に検証した。実験結果は,IGBT接合温度と準閾値電圧の間の依存性が線形に近いが,バス電圧に敏感であることを示した。接合温度に及ぼすファイント影響を,負荷電流と結合ワイヤリフトオフによって導入した。CCSドライバの下の準閾値電圧は,オンライン接合温度測定のための潜在的に実用的なTSEPであると結論できる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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