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J-GLOBAL ID:202102261749719118   整理番号:21A1821397

ナノ構造の迅速作製のための原子間力顕微鏡を用いたリン酸塩ガラスの直接書き込み【JST・京大機械翻訳】

Direct Writing on Phosphate Glass Using Atomic Force Microscopy for Rapid Fabrication of Nanostructures
著者 (4件):
資料名:
号: IMECE2016  ページ: Null  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0478C  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ナノ構造の急速で費用対効果の高い製造は,商業的開発に対する結果の実験的調査と翻訳にとって重要である。Eビームまたは集束イオンビームリソグラフィーのような従来の技術は,ナノスケール実験に対するいくつかのプロトタイピングニーズを果たすが,コストおよび速度考慮は製造に対する使用を禁止する。特殊なリソグラフィープロセス[例えば,ナノスフェアリソグラフィーまたは干渉リソグラフィー]は,ナノ構造の創製における強力なツールであるが,ナノ構造の限定された形状,位置決めおよびサイズ制御を提供する。本研究では,固体超イオン(AgI)_x(AgPO_3)_(1-x)ガラス上に数秒で銀ナノ構造の任意の形状を作ることができる原子間力顕微鏡(AFM)を用いた液体フリーでマスクのない電気化学書き込み法を示した。周囲条件下で,銀は,Ag膜対電極に対してAFMプローブを負バイアスすることにより,超イオン(AgI)_x(AgPO_3)_(1-x)ガラス表面上で選択的に抽出される。電圧制御と電流制御書き込みの両方が銀の局所抽出を示した。電流制御アプローチは,(AgI)_xAgPO_3(1-x)上の銀の反復性で均一なパターンを作るための好ましい書き込み法であり,xは混合物中のAgIのモル分率と試料の伝導率を調整する制御パラメータを表す。材料の2つの異なる組成(即ち,(AgI)_0.125(AgPO_3)_0.875および(AgI)_0.25(AgPO_3)_0.75)上の銀の電流制御印刷を実証した。定電流と先端速度の大きさに依存して,銀パターンの線幅は約150nmであった。これらのパターンの長さは,AFM位置制御を用いてチップを移動できる最大距離に制限される。光学的に透明な基板は,迅速なプロトタイピングプラズモンデバイスのためのこの書き込み技術の使用を可能にする。ポリジメチルシロキサン(PDMS)のようなソフト材料のレプリカ成形のためのテンプレートとしてパターン化基板を用いることにより,この書き込み技術は,バイオフルイディクスおよびマイクロ流体デバイスにおける高スループットナノチャネル作製にも利用できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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