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J-GLOBAL ID：202102262486609850   整理番号：21A3269258

高硬度の高密度アルミナセラミックディスクのフラッシュ焼結【JST・京大機械翻訳】

Flash Sintering of dense alumina ceramic discs with high hardness

著者 (6件)： Yang Shoulei (School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University of Aeronautics, Zhengzhou, 450046, China) ,  Yang Shoulei (State Key Laboratory of Green Building in Western China, Xi′an University of Architecture and Technology, Xi′an, 710055, China) ,  Yang Sirui (School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University of Aeronautics, Zhengzhou, 450046, China) ,  Zhu Yinxiao (School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University of Aeronautics, Zhengzhou, 450046, China) ,  Fan Lei (School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University of Aeronautics, Zhengzhou, 450046, China) ,  Zhang Mengwen (School of Materials Science and Engineering, Zhengzhou University of Aeronautics, Zhengzhou, 450046, China)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 42  号： 1  ページ： 202-206  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgOドープAl_2O_3セラミックディスクをフラッシュ焼結(FS)と常圧焼結(PS)により作製した。その結果,MgOドープAl_2O_3は,過剰な2500V/cmの電場下でフラッシュ焼結の典型的な特性を示した。PS作製試料と比較して,フラッシュ焼結試料はサブミクロン結晶粒(≦760nm)と均一な微細構造を示した。フラッシュ焼結MgOドープAl_2O_3セラミックの相対密度は電流密度と共に増加し,電流密度が7mA/mm2に増加したとき99.91%に達した。FS作製試料はPS作製試料よりも高い硬度(21.02GPa)と破壊靱性(3.46MPam1/2)を示した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *セラミック ,  電場 ,  微細構造 ,  破壊靱性 ,  酸化マグネシウム ,  ドーピング ,  電流密度 ,  結晶粒 ,  相対密度 ,  硬度
準シソーラス用語： アルミナセラミック ,  高密度 ,  常圧焼結 ,  高硬度 ,  *フラッシュ焼結 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： アルミナセラミックス ,  フラッシュ焼結 ,  硬度 ,  破壊靭性

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高硬度 ,  高密度 ,  アルミナセラミック ,  ディスク ,  フラッシュ焼結