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J-GLOBAL ID：202102262569794332   整理番号：21A0064590

繰返しパルス電圧下のElectronビーム照射PI膜の表面電荷特性【JST・京大機械翻訳】

Surface Charge Characteristics of Electron Beam Irradiated PI Film under Repetitive Pulse Voltage

著者 (4件)： Liu Jingyu (State Grid Yantai Power Supply Company,Yantai,China) ,  Wang Shuo (State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology,Tianjin,China) ,  Cao Jianmei (State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology,Tianjin,China) ,  Xing Yunqi (State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology,Tianjin,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ASEMD  ページ： 1-2  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導磁石は国際熱核実験炉(ITER)の重要な部分である。超伝導磁石の信頼性は,ITERの安定動作のために非常に重要である。その優れた極低温電気特性,低い熱収縮応力および強い耐放射線性のため,ポリイミド(PI)は超伝導磁石用の絶縁材料としてしばしば用いられる。パルス電力がITERデバイスを駆動するのに使用されるので,PIは低温とパルス電圧の二重課題に直面している。電荷蓄積を引き起こし,絶縁破壊に至る。本論文は,反復パルス電圧の下で種々の線量の電子ビームによって照射されたPIの表面電荷と放電特性について研究した。照射線量は0,300,500および700kGyであった。表面帯電はパルス電圧下で40%の相対湿度で終了した。静電電圧計を用いて表面電位データを集めた。結果は,中程度の照射が表面電荷減衰を促進し,電荷蓄積を減少させ,PI浅いトラップレベルを作ることを示した。それにもかかわらず,過度の照射は効果を弱めた。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  帯電 ,  超伝導磁石 ,  低温 ,  電子ビーム ,  表面電位 ,  電力 ,  絶縁材料 ,  電圧計 ,  極低温 ,  電気特性 ,  *パルス ,  耐放射線性 ,  *表面電荷
準シソーラス用語： *パルス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： パルス電圧 ,  ビーム ,  pI ,  表面電荷