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J-GLOBAL ID：202102262760761586   整理番号：21A3198362

増強磁気および光電性能を有するストロンチウムドーピングにより変調された構造進化可能BiFeO_3【JST・京大機械翻訳】

Structural Evolution-Enabled BiFeO₃ modulated by strontium doping with enhanced magnetic and photoelectric performance

著者 (8件)： Ma Wenjing (Key Laboratory of Functional Materials Physics and Chemistry of the Ministry of Education, Jilin Normal University, Changchun 130103, China) ,  Sun Qi (Key Laboratory of Functional Materials Physics and Chemistry of the Ministry of Education, Jilin Normal University, Changchun 130103, China) ,  Sun Mingjie (Key Laboratory of Functional Materials Physics and Chemistry of the Ministry of Education, Jilin Normal University, Changchun 130103, China) ,  Bai Liang (Key Laboratory of Functional Materials Physics and Chemistry of the Ministry of Education, Jilin Normal University, Changchun 130103, China) ,  Liu Yanqing (Key Laboratory of Functional Materials Physics and Chemistry of the Ministry of Education, Jilin Normal University, Changchun 130103, China) ,  Zhang Junkai (Key Laboratory of Functional Materials Physics and Chemistry of the Ministry of Education, Jilin Normal University, Changchun 130103, China) ,  Zhang Junkai (United Laboratory of High-Pressure Physics and Earthquake Science, Key Laboratory of Earthquake Prediction, Institute of Earthquake Forecasting, CEA, Beijing 100036, China) ,  Yang Jinghai (Key Laboratory of Functional Materials Physics and Chemistry of the Ministry of Education, Jilin Normal University, Changchun 130103, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 571  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンドーピングはビスマスフェライト,BiFeO_3の汎用性を高めるための有望な方法の1つである。本研究では,ストロンチウム(Sr)のドーピング量がx=0.25に達するとき,菱面体晶から立方晶へのBi_1-xSr_xFeO_3(0<x<1)ナノ粒子(NP)の構造相転移が起こり,これはBi_0.75Sr_0.25FeO_3とBi_0.65Sr_0.35FeO_3の反強磁性から強磁性への磁気変態をもたらす。すべてのSrドープ試料を比較して,Bi_0.75Sr_0.25FeO_3の飽和磁化と残留磁化は,それぞれ約1桁増加し,最大1.859emu/gと0.046emu/gに達した。一方,Bi_0.75Sr_0.25FeO_3では,非予想3から4倍の高い光伝導が見出され,これは,相転移によるバンドギャップ減少と,非占有酸素空孔の密度の増加に起因する。本研究は,室温でのBiFeO_3の調整可能な強磁性特性の研究に有益であり,電気的および電気化学的性質を改善する一つの新しい方法を開く。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  残留磁化 ,  相転移 ,  反強磁性 ,  飽和磁化 ,  *ストロンチウム ,  *磁気 ,  *ドーピング ,  磁気転移 ,  立方晶系 ,  三方晶系 ,  バンドギャップ ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  ビスマスフェライト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BiFeO_3 ,  Srドーピング ,  構造進化 ,  強磁性 ,  電気化学

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 増強 ,  磁気 ,  光電 ,  ストロンチウム ,  ドーピング ,  変調 ,  構造進化