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J-GLOBAL ID：202102262782805970   整理番号：21A2346066

空気中のMeV陽子照射に対するカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの電気的応答【JST・京大機械翻訳】

Electrical responses of a carbon nanotube thin-film transistor to MeV proton irradiation in air

著者 (5件)： Ishii Satoshi (Department of Physics, Tokyo Denki University, Saitama, Japan) ,  Toki Junpei (Department of Physics, Tokyo Denki University, Saitama, Japan) ,  Oikawa Masakazu (Institute for Quantum Life Science, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Chiba, Japan) ,  Ohsawa Daisuke (Institute for Quantum Life Science, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Chiba, Japan) ,  Konishi Teruaki (Institute for Quantum Life Science, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Chiba, Japan)
資料名： Radiation Effects and Defects in Solids  (Radiation Effects and Defects in Solids)
巻： 175  号： 5-6  ページ： 440-449  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0224B  ISSN： 1042-0150  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(CNTTFT)を照射するために3.30MeVの入射エネルギーを有する陽子を用いて,空気環境における電気的応答を研究した。ドレイン電流(I_D)を,CNTTFTに一定のゲート電圧(V_GS)を適用して監視した。陽子照射を50,000cpsのビーム強度でオンオフした。I_Dは-20Vの負のV_GSで増加し,陽子照射の間に+10Vの正のV_GSで減少した。両V_GS値に対して,I_Dは陽子照射後に回復し始めた。陽子のエネルギー損失の計算によると,入射陽子はCNTTFT上にエネルギーを堆積した。マイクロRaman分析は,CNTの構造変化が入射陽子によって起こらなかったことを明らかにした。陽子照射に対するCNTTFTの可逆電気的応答は,空気中のMeV入射陽子の検出と線量測定に適用できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー損失 ,  *陽子 ,  *陽子照射 ,  *薄膜トランジスタ ,  線量測定 ,  *カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  ゲート電圧 ,  構造変化 ,  入射エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： CNTTFT ,  陽子照射 ,  可逆電気応答

分類 (2件)： 有機化合物のEPR  (BM07024U) ,  放射線化学一般  (CB09010B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 空気中 ,  陽子照射 ,  カーボンナノチューブ ,  薄膜トランジスタ ,  応答