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J-GLOBAL ID：202102262879539049   整理番号：21A0151580

RF GaNデバイスモデル調査とモデルパラメータ抽出フロー【JST・京大機械翻訳】

RF GaN Device Model Survey and Model Parameter Extraction Flows

著者 (4件)： Sodhi Raj (PathWave Design Solutions (PSS), Keysight Technologies Inc.,Santa Rosa,CA,USA,95403) ,  Tinti Roberto (PathWave Design Solutions (PSS), Keysight Technologies Inc.,Santa Rosa,CA,USA,95403) ,  Dunn Mark (PathWave Design Solutions (PSS), Keysight Technologies Inc.,Santa Rosa,CA,USA,95403) ,  Long Ma (PathWave Design Solutions (PSS), Keysight Technologies Inc.,Santa Rosa,CA,USA,95403)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICSICT  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN(Gallium-Nitride)デバイスは,5G,レーダ,および電力エレクトロニクスの市場受容において,それらの高出力処理能力と線形性により進歩を続けている。GaN技術は,与えられた周波数で最も高い電力,利得,および効率の組合せを同時に提供できるので,他のRF技術より優れている。これらのデバイスの使用における市場動向,技術および課題をレビューした。2018年に,2つの新しい物理ベースGaNモデルを他のモデルのバックドロップとして産業標準として受け入れた。正確なRF GaNモデルに対する成長の必要性に取り組むために,新しいモデルパラメータ抽出フローを,IC-CAPソフトウェアフレームワーク,DC-IV,キャパシタンスおよびS-パラメータデータを利用して示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： レーダ ,  電力 ,  静電容量 ,  *固体素子モデル ,  線形性 ,  利得 ,  スループット ,  *窒化ガリウム ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： ドロップ ,  *パラメータ抽出 ,  市場動向 ,  高出力 ,  第5世代移動通信システム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： RF ,  GaN ,  デバイスモデル ,  調査 ,  モデル ,  パラメータ抽出 ,  フロー