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J-GLOBAL ID:202102263997105604   整理番号:21A1696515

4,4’-ビベンゾ[c]チオフェン誘導体の合成,光学的および電気化学的性質【JST・京大機械翻訳】

Synthesis, optical and electrochemical properties of 4,4′-bibenzo[c]thiophene derivatives
著者 (9件):
資料名:
巻: 11  号: 31  ページ: 18870-18880  発行年: 2021年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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非置換4,4′-ビベンゾ[c]チオフェン4,4′-BBTとそのシリル置換誘導体1,1′-Si-4,4′-BBTと1,1,3′-Si-4,4′-BBTを,各チオフェン環上に1つまたは2つのtert-ブチルジメチルシリル基で,有機オプトエレクトロニックデバイス用の発光体,光増感剤および半導体における新しいπ-構築ブロックとして,設計し,合成した,そして,そのシリル-置換誘導体,1,1’-Si-4,4′-BBTおよび1,1,3′-Si-4,4′-BBTを,各チオフェン環上に,1つまたは2つのtert-ブチルジメチルシリル基で設計した。FTIR,1Hおよび13C NMR測定,高分解能質量分析(HRMS)分析,光吸収および蛍光分光法,サイクリックボルタンメトリー(CV)および密度汎関数理論(DFT)計算によって,4,4′-BBT,1,1′-Si-4,4′-BBTおよび1,1,3,3′-Si-4,4′-BBTのキャラクタリゼーションを行った。さらに,1,1′-Si-4,4′-BBTおよび1,1,3,3′-Si-4,4′-BBTについて単結晶X線構造解析に成功した。トルエン中の3つの4,4′-ビベンゾ[c]チオフェン誘導体の光吸収および蛍光極大(λおよびλ)は,4,4′-BBT(359nmおよび410nm)<1,1’-Si-4,4′-BBT(366nmおよび420nm)<1,1′,3,3′-Si-4,4′-BBT(371nmおよび451nm)の順番で深色シフトを示した。HOMOとLUMOエネルギー準位は,4,4′-BBT(-5.55eVと-2.39eV)<1,1’-Si-4,4′-BBT(-5.45eVと-2.34eV)<1,1′,3,3′-Si-4,4′-BBT(-5.34eVと-2.30eV)の順で上昇したが,HOMOエネルギー準位の増加はLUMOエネルギー準位のそれより大きく,4,4′-BBTから1,1′,3,3′-Si-4,4′-BBTへの光吸収バンドの深色シフトをもたらした。トルエン中の4,4′-BBT,1,1′-Si-4,4′-BBTおよび1,1,3,3′-Si-4,4′-BBTの蛍光量子収率(Φ_fl)は,それぞれ0.41,0.41および0.36であった。固体状態1,1’-Si-4,4′-BBTおよび1,1,3,3′-Si-4,4′-BBTは,それぞれ0.22および0.25の比較的高いΦ_fl-固体値を示し,一方,4,4′-BBTは,貧弱な固体状態蛍光特性(Φ_fl-固体<0.02)を示した。本研究は,4,4′-ビベンゾ[c]チオフェン誘導体に対する効率的な合成法と,溶液および固体状態,電気化学的性質およびX線結晶構造におけるそれらの光物理的性質を提供した。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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高分子固体の物理的性質  ,  太陽電池 
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