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J-GLOBAL ID：202102264330361203   整理番号：21A0328612

高温ポストアニールによるMgB₂薄膜のインフィールド臨界電流密度の増加

Increase in the infield critical current density of MgB₂ thin films by high-temperature post-annealing

著者 (7件)： Kambe Hiroto (Graduate School of Energy Science, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Kawayama Iwao (Graduate School of Energy Science, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Kitamura Naoya (Graduate School of Energy Science, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Ichinose Ataru (Central Research Institute of Electric Power Industry, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Iwanaka Takumu (Research & Development Group, Hitachi, Ltd., Hitachi, Ibaraki 319-1292, Japan) ,  Kusunoki Toshiaki (Research & Development Group, Hitachi, Ltd., Hitachi, Ibaraki 319-1292, Japan) ,  Doi Toshiya (Graduate School of Energy Science, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 14  号： 2  ページ： 025504 (4pp)  発行年： 2021年02月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,MgB₂薄膜上にNb保護層を形成し,高温ポストアニールを行うことで,外部磁場下でのMgB₂薄膜の臨界電流密度(J_c)を向上させるという新しい製造技術を提案する。処理したMgB₂薄膜の結晶構造と組成を分析したところ,550°C以上の高温アニールによってMgの蒸発と酸化が抑制されていることが確認された。650°Cで熱処理したMgB₂膜のJ_cは,5Tで1.62MAcm^-2となり,これまでに報告されているMgB₂膜,ワイヤー,バルク試料の中で最も高い値であった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 焼なまし ,  *ホウ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *臨界電流密度 ,  ニオブ ,  外部磁場 ,  生産技術 ,  結晶構造 ,  *超伝導薄膜
準シソーラス用語： ポストアニール ,  *ホウ化マグネシウム ,  保護層 ,  製造技術

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポストアニール ,  MgB2 ,  薄膜 ,  フィールド ,  臨界電流密度