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J-GLOBAL ID：202102264700613285   整理番号：21A3270263

高いキャリア移動度と増強された可視光吸収を有する2D XBiSe_3(X=Ga,In,Tl)単分子層【JST・京大機械翻訳】

2D XBiSe₃(X = Ga, In, Tl) monolayers with high carrier mobility and enhanced visible-light absorption

著者 (5件)： Zhan Li-Bo (Basic Medical College, Binzhou Medical University, Yantai 264003, China) ,  Zhan Li-Bo (College of Physics and Engineering, Qufu Normal University, Qufu 273165, China) ,  Yang Chuan-Lu (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, China) ,  Wang Mei-Shan (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, China) ,  Ma Xiao-Guang (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, China)
資料名： Spectrochimica Acta. Part A. Molecular and Biomolecular Spectroscopy  (Spectrochimica Acta. Part A. Molecular and Biomolecular Spectroscopy)
巻： 264  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0128B  ISSN： 1386-1425  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： XBiSe_3(X=Ga,In,Tl)単分子層の幾何配置を第一原理密度汎関数理論計算を用いて同定し,安定性をフォノン分散,形成エネルギーおよびab initio分子動力学シミュレーションにより確認した。バンドギャップとバンド端,状態密度,光吸収,移動度,および歪工学の効果を評価し,単分子層の光電子特性を理解した。その結果,XBiSe_3単分子層はHSE06(GW)により1.14~1.69(1.20~1.84)eVの間接バンドギャップを持ち,可視から近紫外領域への光吸収の増強をもたらすことが分かった。電子と正孔の大きな移動度も観察され,これは光生成キャリア対の分離と移動に役立つ。バンドエッジとバンドギャップ,ならびに光吸収は,歪工学によって効果的に調整できた。InBiSe_3単分子層のバンドエッジは,-3%より重い圧縮歪の下での水素発生反応に対する酸化還元電位の条件を満足することができ,この単分子層は,水素を生産するための光触媒水分解にも使用できる。したがって,これらの単分子層は,エネルギーハーベスタや可視光センサなどの光触媒材料や光電子デバイスへの応用が有望である。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 幾何学 ,  *キャリア移動度 ,  正孔 ,  *光吸収 ,  水素 ,  酸化還元電位 ,  *単分子層 ,  *可視光 ,  近紫外線 ,  状態密度 ,  *二次元 ,  光触媒 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 単分子層 ,  光吸収 ,  モビリティ ,  バンドギャップ ,  歪工学

分類 (2件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： キャリア移動度 ,  増強 ,  可視光 ,  2D ,  Tl ,  単分子層