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J-GLOBAL ID:202102264991572520   整理番号:21A0536609

光還元反応のための低次元ビスマス系材料における界面工学【JST・京大機械翻訳】

Interface engineering in low-dimensional bismuth-based materials for photoreduction reactions
著者 (3件):
資料名:
巻:号:ページ: 2662-2677  発行年: 2021年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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光吸収,電荷移動動力学,および界面触媒反応における魅力的な強度のため,低次元材料は優れた光触媒性能を達成するための効果的な構成と見なされてきた。これらの特徴のために,低次元ビスマス系材料は光還元反応のために近年大きな進歩を獲得した。本レビューでは,液体剥離,直接析出,水熱/溶媒熱,界面活性剤自己集合法,テンプレート指向戦略およびラメラハイブリッド中間戦略として分類できる種々の低次元ビスマス系材料の制御合成について述べた。ビスマスリッチ戦略,結晶ファセット制御,ファセット接合,表面欠陥工学,歪工学,共触媒,単一原子修飾およびヘテロ接合のような,微細幾何学的および電子構造の調整による光還元活性最適化のための多様な界面工学アプローチの最近の進歩を要約した。最後に,光還元反応のための低次元ビスマス系材料の将来の機会と課題に関する展望を展望した。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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触媒の調製  ,  太陽電池  ,  光化学一般  ,  光化学反応 
タイトルに関連する用語 (5件):
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