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J-GLOBAL ID:202102265212201367   整理番号:21A2343435

位相集積液晶光学素子作製のためのPancharatnam-Berry位相干渉理論の一般化【JST・京大機械翻訳】

Generalization of Pancharatnam-Berry phase interference theory for fabricating phase-integrated liquid crystal optical elements
著者 (8件):
資料名:
巻: 47  号:ページ: 369-376  発行年: 2020年 
JST資料番号: E0179C  ISSN: 0267-8292  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,異なるPB相を有する直交円偏光ビームの干渉により,位相集積液晶光学素子を作製する方法を拡張し,Pancharatnam-Berry(PB)相干渉理論として一般化した。一般化理論は2種類の干渉法を示した。種々のPB光学素子(PBOE)を半波条件で直線偏光光によって連続的に照射すると,最初の方法が生じる。第2の方法は,第1のPBOEが4分の1波条件で円偏光光によって照射されたとき起こり,一方,次のPBOEは半波条件にある。この一般化理論に基づくフォーク分極格子の作製を用いて,2つの異なる干渉方法を確認した。一般化理論は,異なるPB相を有する直交円偏光ビームの干渉をよりよく記述することができ,既存のPB相デバイスを用いた位相集積液晶光学素子の作製に幅広く使用でき,これはPBOEの開発および広範な応用を促進する可能性がある。GRAPHICAL。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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物理化学一般その他  ,  その他の液晶 

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