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J-GLOBAL ID：202102265470622942   整理番号：21A1554421

蒸着温度がプラズマ化学蒸着によるシリコン薄膜の微細構造に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Deposition Temperature on Microstructure of Silicon Oxide Film Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

著者 (4件)： You Jiachuan (中国科学院電工研究所,中国科学院太陽能熱利用及光伏系統重点実験室,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049) ,  Zhao Lei (中国科学院電工研究所,中国科学院太陽能熱利用及光伏系統重点実験室,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049;潔浄能源国家実験室,大連 116023) ,  Diao Hongwei (中国科学院電工研究所,中国科学院太陽能熱利用及光伏系統重点実験室,北京 100190) ,  Wang Wenjing (中国科学院電工研究所,中国科学院太陽能熱利用及光伏系統重点実験室,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049;潔浄能源国家実験室,大連 116023)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 50  号： 3  ページ： 509-515  発行年： 2021年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 13.56MHzのRFプラズマ化学蒸着装置(RF-PECVD)を用いて、異なる堆積温度(50400°C)で一連の水素化ケイ素酸素(SiOx:H)薄膜材料を作製し、薄膜材料の性能と微細構造の変化規則を研究した。蒸着温度の増加とともに,酸素含有量(CO)は減少し,結晶化速度(XC)は減少し,屈折率(n)は上昇し,また,膜の構造因子(R)は減少し,水素含有量(CH)は,最初に上昇し,次に減少し,それにより,最適中間温度において,最大水素含有量が得られた。異なる堆積温度におけるSi-O薄膜の内部微細構造モデルを,実験結果によって提示した。低温で堆積したシリコン酸化物薄膜は水素化アモルファスシリコン(a-SiOx)であった。H)相をホストとし,水素化ナノ結晶シリコン(nc-Si)を埋め込んだ。H)の複合材は,高温で堆積されたシリコン酸化物薄膜が水素化アモルファスシリコン(a-Si)であった。H)相はホストであり,nc-Siを埋め込んだ。H相とa-SiOx;H相の複合材料。上から分かるように、太陽電池に通常採用される結晶化率XCが高く、酸素含有量が高いCOの高い水素化ナノ結晶シリコン酸素(nc-SiOx:H)材料を調製するには、比較的低い堆積温度が必要である。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折率 ,  結晶化 ,  高温 ,  太陽電池 ,  低温 ,  *薄膜 ,  ケイ素 ,  シラン ,  水素化 ,  晶析速度 ,  *プラズマCVD
準シソーラス用語： 酸化物薄膜 ,  酸素含有量 ,  *シリコン薄膜 ,  *蒸着温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 蒸着温度 ,  プラズマ化学蒸着 ,  シリコン薄膜 ,  微細構造