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J-GLOBAL ID：202102265659960890   整理番号：21A0984820

低電力および高密度モノリシック3D DRAMに向けてのキャパシタレス,長期保持(>400s)DRAMセル【JST・京大機械翻訳】

Capacitor-less, Long-Retention (>400s) DRAM Cell Paving the Way towards Low-Power and High-Density Monolithic 3D DRAM

著者 (21件)： Belmonte A. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Oh H. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Rassoul N. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Donadio G.L. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Mitard J. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Dekkers H. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Delhougne R. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Subhechha S. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Chasin A. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  van Setten M. J. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Kljucar L. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Mao M. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Puliyalil H. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Pak M. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Teugels L. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Tsvetanova D. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Banerjee K. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Souriau L. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Tokei Z. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Goux L. (imec,Leuven,Belgium,B-3001) ,  Kar G. S. (imec,Leuven,Belgium,B-3001)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IEDM  ページ： 28.2.1-28.2.4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2T0C構成で2つのIGZO-TFTsを統合することにより,>400sの保持時間を有する完全300mm積層互換キャパシタ無しDRAMセルを初めて報告した。IGZO層とトランジスタレイアウトパラメータを取り巻く材料をエンジニアリングすることにより,単一IGZO-TFT性能を最適化した。このようにして,新しいIGZO-TFTデバイスを導入し,300mmウエハで最適V_th再現性を持つスケールトランジスタ(W=70nm,L=45nm)を実証した。IGZO-TFTsを2T0C配置で統合することにより,非常に低い抽出IGZO-TFTオフ電流(ΔΔ3x10-19A/μm)により,異なるトランジスタ寸法に対する再現可能な長い保持時間を系統的に評価した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *コンデンサ ,  最適化 ,  電流 ,  トランジスタ ,  再現性 ,  保持時間 ,  *三次元 ,  *DRAM
準シソーラス用語： 300mmウエハ ,  高密度 ,  低電力化 ,  長期保存 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電力 ,  高密度 ,  3D ,  DRAM ,  長期保持 ,  セル