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J-GLOBAL ID：202102266000903071   整理番号：21A0784961

半導体界面に蓄積された二次元電子ガスの熱電能電界変調

著者 (1件)： 太田裕道 (北大 電子科研)
資料名： 旭硝子財団研究助成成果発表会  (Proceedings of the Seminar on Grant-Supported Research Findings the Asahi Glass Foundation)
巻： 2020  ページ： 104-105  発行年： 2020年09月 
JST資料番号： L6051A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.研究の目的と背景.金属や半導体の熱電能(=Seebeck係数、S値)は、熱電変換材料の性能指数ZT(=S2・σ・T・k-1)を決める一つの物理量であるとともに、その物質の電子状態を反映する極めて有用な物理量である。熱電能の物理的な意味は...【本文一部表示】

シソーラス用語： *電子ガス ,  界面 ,  窒化物 ,  *化合物半導体 ,  *熱起電力
準シソーラス用語： *Seebeck効果 ,  *窒化物半導体 ,  *熱電能

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面 ,  蓄積 ,  二次元電子ガス ,  熱電能 ,  電界 ,  変調