文献

J-GLOBAL ID：202102266098955645   整理番号：21A2193618

Cu/Si(100)薄膜の構造と残留応力に及ぼすターゲットベース距離の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Target-substrate Distance on Structure and Residual Stress of Cu/Si(100)Thin Films

著者 (5件)： Meng Di (大連理工大学材料科学与工程学院表面工程実験室,大連116024) ,  Jiang Zhitao (大連理工大学材料科学与工程学院表面工程実験室,大連116024) ,  Li Yuge (大連理工大学材料科学与工程学院表面工程実験室,大連116024) ,  Gao Jianying (大連理工大学材料科学与工程学院表面工程実験室,大連116024) ,  Lei Mingkai (大連理工大学材料科学与工程学院表面工程実験室,大連116024)
資料名： Zhongguo Biaomian Gongcheng  (Zhongguo Biaomian Gongcheng)
巻： 33  号： 6  ページ： 86-92  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2759A  ISSN： 1007-9289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高電力変調パルスマグネトロンスパッタリング(MPPMS)技術を用いて、Si(100)基板上にCu薄膜を堆積し、SEMで薄膜の厚さと成長特徴、XRD分析薄膜の結晶構造、nanoindentor測定で薄膜のナノ硬度と弾性係数を測定した。Stoney式を用いて薄膜の残留応力を計算し,Cu/Si(100)薄膜の蒸着速度,微細構造及び残留応力に及ぼすターゲットベース距離の影響を調べた。ターゲットの距離が増すにつれ、薄膜の堆積速度は低下し、薄膜の成長構造は緻密T区域からI領域へ転換し、Cu(111)優先成長の結晶粒は次第に減少し、薄膜のナノ硬度と弾性係数も相応して低下し、残留引張応力は約400MPaであった。小さいターゲットの距離で増加する堆積イオンフラックスとエネルギーが、薄膜結晶粒が長大体積収縮過程の主な成長形態を合併し、Cu/Si(100)薄膜が有する残留引張応力状態をもたらした。MPPMSプロセスの高い堆積フラックスと粒子エネルギーはCu/Si(100)薄膜の残留応力を制御できる。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶構造 ,  *残留応力 ,  弾性係数 ,  *薄膜 ,  微細構造 ,  *銅 ,  堆積速度 ,  結晶粒 ,  引張応力 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： イオンフラックス ,  ナノ硬さ ,  蒸着速度 ,  *シリコン(100) ,  体積収縮 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  Si ,  薄膜 ,  残留応力 ,  ターゲット