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J-GLOBAL ID:202102266282433136   整理番号:21A0697653

N極性面AlNおよびAlGaN/AlNヘテロ構造の結晶成長と評価

Growth and evaluation of N-polar AlN and AlGaN / AlN hetero-structures
著者 (7件):
資料名:
巻: 81st  ページ: ROMBUNNO.11p-Z02-16  発行年: 2020年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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近年、AlGaN/GaN構造を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高周波デバイスとして、アンテナや自動車用レーダに使用され、注目されている。更にHEMTの性能をより向上させるには、新たな構造の開発が必要不可欠である。我々はAlGaN...【本文一部表示】
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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