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J-GLOBAL ID：202102266419240487   整理番号：21A0169195

パワー半導体の現状と将来 高電圧パワー半導体に向けたSiC結晶材料開発

著者 (1件)： 土田秀一 (電力中央研 材料科研)
資料名： 電気評論  (Electrical Review)
巻： 105  号： 12  ページ： 13-17  発行年： 2020年12月10日 
JST資料番号： G0720A  ISSN： 0285-5860  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・電力変換器等の小型化で注目されるSiCパワーデバイスに関して,大口径で安価なSiC単結晶ウェハを得るための結晶成長技術について,その開発の進展と課題を解説。
・SiCバルク成長に用いる昇華法に関しては,結晶成長速度の低さと成長の安定化が課題となっており,安定化のための転位密度の低減と均一化についての取組みが活発。
・SiCエピタキシャル成長に用いるCVD法に関しては,縦型成長装置により成長速度向上と欠陥制御を実現,通電劣化現象の抑制による信頼性向上についても取組みが活発。
・SiC単結晶ウェハの一層の品質と生産性の向上に向けてガス法によるバルク成長技術の開発が進められており,SiC成長結晶の大型化も進展中。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *結晶成長 ,  *開発 ,  昇華 ,  化学蒸着 ,  結晶 ,  エピタクシー ,  転位密度 ,  成長速度
準シソーラス用語： CVD法 ,  *SiCパワーデバイス ,  エピタキシャル成長 ,  バルク結晶 ,  結晶成長速度 ,  *材料開発

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： パワー半導体 ,  現状 ,  将来 ,  高電圧 ,  SiC ,  結晶 ,  材料開発