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J-GLOBAL ID：202102266494880305   整理番号：21A0002627

ペロブスカイトエピタキシャル薄膜強誘電体バラクタにおける衝突酸化条件と歪調節の整合【JST・京大機械翻訳】

Matching conflicting oxidation conditions and strain accommodation in perovskite epitaxial thin-film ferroelectric varactors

著者 (9件)： Zeinar Lukas (Institute of Materials Science, Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Salg Patrick (Institute of Materials Science, Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Walk Dominik (Institute for Microwave Engineering and Photonics, Technische Universitaet Darmstadt, 64283 Darmstadt, Germany) ,  Petzold Stefan (Institute of Materials Science, Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Arzumanov Alexey (Institute of Materials Science, Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Jakoby Rolf (Institute for Microwave Engineering and Photonics, Technische Universitaet Darmstadt, 64283 Darmstadt, Germany) ,  Maune Holger (Institute for Microwave Engineering and Photonics, Technische Universitaet Darmstadt, 64283 Darmstadt, Germany) ,  Alff Lambert (Institute of Materials Science, Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Komissinskiy Philipp (Institute of Materials Science, Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 21  ページ： 214104-214104-14  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般的な化学式ABO_3のペロブスカイト酸化物材料は,新しいデバイス応用のための異なる機能層のエピタキシャルスタックのための豊富なプレイグラウンドである。電極と調整可能な誘電Ba_0.5Sr_0.5TiO_3(BST)として最高の導電性ペロブスカイトSrMoO_3から作製した調整可能な金属-絶縁体-金属強誘電体バラクタ(調整可能なキャパシタ)の例において,極めて相反する酸化電位が,完全に機能的なヘテロ構造においてどのようにコンシレートされるかを示した。基板温度,酸素圧および酸化時間による成長速度の制御により,非導電性Mo6+状態の形成を効果的に抑制でき,BSTカチオン化学量論を調整できた。BST膜中のカチオン非化学量論,エピタキシャル歪,および酸素欠乏の累積影響は,点欠陥の形成によるc軸格子定数の拡大をもたらす。440の誘電率,3.5の高いチューナビリティ,および50の品質因子を,1GHzの周波数におけるバラクタに対して達成した。バラクター性能はBSTの正方晶格子歪に対して反相関し,そのものが酸化条件と相互に関連していることが分かった。バラクタの酸素欠乏BST層を通る漏れ電流の機構を,トラップからの空間電荷制限電流とPoole-Frenkel場支援発光の複合シナリオ内で解析した。0.04pF/μm2の単位面積当たりの高い静電容量と0.025μA/pFの適度な漏れ電流は,マイクロ波マイクロエレクトロニクスデバイスにおける応用に適したこれらのバラクターを作った。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *強誘電体 ,  格子定数 ,  コンデンサ ,  *酸化 ,  *薄膜 ,  誘電率 ,  静電容量 ,  漏れ電流 ,  カチオン ,  正方晶系 ,  *可変容量ダイオード ,  非化学量論 ,  導電性
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： 薄膜 ,  強誘電体 ,  バラクタ ,  衝突 ,  酸化 ,  歪 ,  調節 ,  整合