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J-GLOBAL ID：202102266499582191   整理番号：21A0696567

モンテカルロ計算によるGaN(001)基板上InAsぬれ層の表面構造変化の理論的検討

Monte Carlo simulations for structural change of InAs wetting layer surface on GaAs(001) substrate

著者 (6件)： 秋山亨 (三重大 大学院) ,  米本和弘 (三重大 大学院) ,  日紫喜文昭 (三重大 大学院) ,  PRADIPTO A.-M. (三重大 大学院) ,  中村浩次 (三重大 大学院) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z01-13  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】近年、分子線エピタキシャル成長を利用したInAs/GaAs(001)系が量子ドットを自己組織化する系として注目を集めている。InAs/GaAs(001)系における走査型トンネル顕微鏡(STM)観察では、InAs被覆率が約0.76...【本文一部表示】

シソーラス用語： 吸着 ,  シミュレーション ,  脱着 ,  *表面構造 ,  *インジウム ,  *ヒ素 ,  ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  二量体 ,  MBE成長 ,  自己組織化 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  量子ドット
準シソーラス用語： 吸着サイト ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： モンテカルロ計算 ,  GaN ,  InAs ,  ぬれ層 ,  表面構造 ,  理論