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J-GLOBAL ID：202102266779050887   整理番号：21A0089204

圧電性によるAlN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガスの電気および熱伝導率の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning electrical and thermal conductivities of the two-dimensional electron gas in AlN/GaN heterostructures by piezoelectricity

著者 (10件)： Abou-Hamdan L (Department of Physics, American University of Beirut, PO Box 11-0236, Riad El-Solh, Beirut 1107-2020, Lebanon) ,  Hamyeh S (Department of Physics, American University of Beirut, PO Box 11-0236, Riad El-Solh, Beirut 1107-2020, Lebanon) ,  Hamyeh S (Platform for Research in Nanoscience and Nanotechnology, Faculty of Sciences 2, Lebanese University, Fanar Campus, PO Box 90239, Jdeidet, Lebanon) ,  Hamyeh S (Light, Nanomaterials and Nanotechnology, Universite de Technologie de Troyes, CNRS ERL 7004, F-10004 Troyes, France) ,  Iskandar A (Department of Physics, American University of Beirut, PO Box 11-0236, Riad El-Solh, Beirut 1107-2020, Lebanon) ,  Tauk R (Platform for Research in Nanoscience and Nanotechnology, Faculty of Sciences 2, Lebanese University, Fanar Campus, PO Box 90239, Jdeidet, Lebanon) ,  Brault J (Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, F-06560 Valbonne, France) ,  Tabbal M (Department of Physics, American University of Beirut, PO Box 11-0236, Riad El-Solh, Beirut 1107-2020, Lebanon) ,  Adam P-M (Light, Nanomaterials and Nanotechnology, Universite de Technologie de Troyes, CNRS ERL 7004, F-10004 Troyes, France) ,  Kazan M (Department of Physics, American University of Beirut, PO Box 11-0236, Riad El-Solh, Beirut 1107-2020, Lebanon)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 32  号： 11  ページ： 115703 (10pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いGaN層と10から360Kの温度範囲でAl_xGa_1-xNキャップ層によって歪められたAlN層の間のヘテロ接合で形成されている2次元電子ガス(2DEG)の電気的および熱伝導率を調べた。可変温度での熱量測定とHall効果測定から推論するために開発した実験プロトコルと,閉じ込められた2DEGの臨界特性と輸送特性を示した。測定した温度範囲(10~360K)において,2DEGの電気伝導率は界面欠陥による散乱過程の優位性により温度に依存しないことが分かった。しかし,熱伝導率は,自由電子の比熱を反映する線形温度依存性を示した。全体の電子散乱に関連した温度に依存しない緩和時間は,電気的および熱伝導率に対して得られた値がWidemann-Franz則によって規定された値と非常に良く一致することを意味する。また,AlN層の弱い歪場では,二次元界面電子の電気的および熱伝導率の両方が歪と共に指数関数的に増加することも分かった。AlN/GaN量子井戸における2DEGの重要性は,AlNの強い圧電性が2DEGの輸送特性を,AlN-GaN界面での格子不整合誘起欠陥の高密度でさえ,弱い電場によって調整または変調することを可能にするという事実にある。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  界面 ,  緩和時間 ,  散乱 ,  電場 ,  電気伝導率 ,  *熱伝導率 ,  温度依存性 ,  臨界 ,  *二次元 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  量子井戸 ,  格子不整合
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 圧電性 ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  二次元電子ガス ,  熱伝導率