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J-GLOBAL ID：202102266962901333   整理番号：21A0168585

二次元層状物質を使った光多値メモリの開発

Photo-Assisted Multilevel Non-Volatile Memory Device on 2D Materials

著者 (3件)： 中払周 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  MUKHERJEE Bablu (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  若山裕 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
資料名： 機能材料  (Function & Materials)
巻： 41  号： 1  ページ： 58-64  発行年： 2021年01月07日 
JST資料番号： Y0021A  ISSN： 0286-4835  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 遷移金属ダイカルコゲナイドに代表される二次元層状物質は,原子レベルで平坦で安定した表面を有し,原子数個分の極めて薄い薄膜であるため,従来のシリコンに代わる新しい半導体材料として期待を集める。本稿では,二次元層状物質の一つである二硫化レニウムを用いた,光と電気信号により制御する多値メモリーについて解説する。(著者抄録)

シソーラス用語： *二次元 ,  *層状化合物 ,  *記憶素子 ,  放射強度 ,  レーザ照射 ,  グラフェン ,  ウエハ【IC】 ,  レニウム化合物 ,  硫化物 ,  窒化ホウ素 ,  *光制御 ,  光強度 ,  二硫化レニウム ,  六方晶窒化ホウ素 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *光多値メモリ ,  シリコン基板 ,  多値メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 多値 ,  開発