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J-GLOBAL ID：202102267180701538   整理番号：21A1735204

Yb充填Co_4Sb_12におけるInSbナノ粒子分散は熱電性能を改善する【JST・京大機械翻訳】

InSb nanoparticles dispersion in Yb-filled Co₄Sb₁₂ improves the thermoelectric performance

著者 (11件)： Ghosh Sanyukta (Thermoelectric Materials and Devices Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012, India) ,  Tippireddy Sahil (Thermoelectric Materials and Devices Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012, India) ,  Shankar Gyan (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012, India) ,  Karati Anirudha (Department of Chemistry, Indian Institute of Technology, Madras, Chennai 600036, India) ,  Rogl Gerda (Institute of Materials Chemistry, University of Vienna, A-1090 Wien, Austria) ,  Rogl Peter (Institute of Materials Chemistry, University of Vienna, A-1090 Wien, Austria) ,  Bauer Ernst (Institute of Solid State Physics, TU-Wien, A-1040 Wien, Austria) ,  Malladi Sai Rama Krishna (Department of Materials Science and Metallurgical Engineering, Indian Institute of Technology, Hyderabad, Telangana 502285, India) ,  Murty B.S. (Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology, Madras, Chennai 600036, India) ,  Suwas Satyam (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012, India) ,  Mallik Ramesh Chandra (Thermoelectric Materials and Devices Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Science, Bengaluru 560012, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 880  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いくつかの方法の中で,Co_4Sb_12系材料の格子熱伝導率を低減するための最も探求された戦略の一つは,ボイドへの適切な電気正元素充填またはナノ複合材料の形成のいずれかである。本研究では,Co_4Sb_12のボイドにYbを充填し,Yb_0.2Co_4Sb_12とInSbのナノ複合体を,ボールミル処理と放電プラズマ焼結により,式(InSb)_x+Yb_0.2Co_4Sb_12(ここでx=0.1,0.2,0.3,0.4)に従って調製した。不純物相としてのYb_2O_3とCoSb_2を結晶粒界で見出した。EBSDとTEM顕微鏡写真は,マトリックス粒子中に分散したナノ結晶InSb相(20-200nm)を示した。+3からCo_4Sb_12の酸化状態を有するYb充填剤からの電荷移動は,マトリックスの低い電気抵抗率(ρ)をもたらした。x=0.1と0.3の複合材料中のρとSeebeck係数(S)の増加は,これらの2つの試料中の多量の酸化物不純物と2次相で誘起された界面での電荷キャリアの散乱に起因して起こった。x=0.2と0.4の他の2つの複合材料は,Yb_0.2Co_4Sb_12マトリックスに類似したρ(T)とS(T)を示した。ボイド中の充填剤(Yb)によって導入された非調和性と組み合わせた結晶粒界におけるInSbとYb_2O_3相の分散は,広い波長領域内でのフォノンの散乱を強化し,格子熱伝導率を著しく減少させた。したがって,(InSb)_0.1+Yb_0.2Co_4Sb_12および(InSb)_0.2+Yb_0.2Co_4Sb_12ナノ複合材料について,それぞれ,8.89%および8.28%(423~773K)の熱電効率で,773KでΔε_1.2の最高z_Tを得た。”InSb_0.1+Yb_0.2Co_4Sb_12]および(InSb)_0.2+Yb_0.2Co_4Sb_12ナノ複合材料に対して,それぞれ,最大z_Tは,8.89%および8.28%(423~773K)であった。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  結晶粒界 ,  電荷移動 ,  フォノン ,  不純物 ,  *イッテルビウム ,  酸化物 ,  *アンチモン化インジウム ,  熱電材料 ,  *ナノ粒子 ,  ナノ結晶 ,  放電プラズマ焼結 ,  Seebeck係数 ,  電荷キャリア ,  格子熱伝導率

著者キーワード (5件)： 熱電材料 ,  ナノ複合材料 ,  EBSD ,  格子熱伝導率 ,  アンチモン化インジウム

分類 (2件)： 電気的性質  (WB02010Y) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (3件)： Yb ,  InSb ,  粒子分散